დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

D2700U45X122XOSA1

ნაწილი საფონდო: 287

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 4500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2900A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

ნაწილი საფონდო: 324

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 9000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1790A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 5.5V @ 4000A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

ნაწილი საფონდო: 307

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 4500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2380A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 2500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

ნაწილი საფონდო: 304

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 8500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3040A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

ნაწილი საფონდო: 5330

IDP45E60XKSA1

ნაწილი საფონდო: 38822

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 71A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 45A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

ნაწილი საფონდო: 34916

IDK04G65C5XTMA1

ნაწილი საფონდო: 2364

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

ნაწილი საფონდო: 2397

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

ნაწილი საფონდო: 9090

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 16A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

ნაწილი საფონდო: 2378

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

ნაწილი საფონდო: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

ნაწილი საფონდო: 1902

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 42A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

ნაწილი საფონდო: 2407

IRD3CH101DD6

ნაწილი საფონდო: 2319

IDW40E65D2FKSA1

ნაწილი საფონდო: 30469

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

ნაწილი საფონდო: 2356

IRD3CH16DB6

ნაწილი საფონდო: 2357

IRD3CH5BD6

ნაწილი საფონდო: 5238

IDC08S60CEX1SA3

ნაწილი საფონდო: 2424

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

ნაწილი საფონდო: 10387

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

ნაწილი საფონდო: 2297

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 7574

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

ნაწილი საფონდო: 2364

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

ნაწილი საფონდო: 2327

IDB10S60CATMA2

ნაწილი საფონდო: 5332

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

ნაწილი საფონდო: 2339

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

ნაწილი საფონდო: 2324

IRD3CH11DB6

ნაწილი საფონდო: 2369

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

ნაწილი საფონდო: 2324

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

ნაწილი საფონდო: 5234

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

ნაწილი საფონდო: 68501

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

ნაწილი საფონდო: 2296

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

ნაწილი საფონდო: 2355

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

ნაწილი საფონდო: 2298

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

ნაწილი საფონდო: 2285

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,