დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

IDH08G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 17096

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA2

ნაწილი საფონდო: 51817

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GATELEADWHRD762XPSA1

ნაწილი საფონდო: 194

IDH04G65C6XKSA1

ნაწილი საფონდო: 31780

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GATELEADWHBK750XXPSA1

ნაწილი საფონდო: 166

IDH03G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 38597

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDL08G65C5XUMA2

ნაწილი საფონდო: 167

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK04G65C5XTMA2

ნაწილი საფონდო: 62465

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 207

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH04SG60CXKSA2

ნაწილი საფონდო: 216

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA2

ნაწილი საფონდო: 148

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK08G65C5XTMA2

ნაწილი საფონდო: 219

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH03SG60CXKSA2

ნაწილი საფონდო: 141

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH05G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 217

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA2

ნაწილი საფონდო: 78467

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDL06G65C5XUMA2

ნაწილი საფონდო: 164

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDD04SG60CXTMA2

ნაწილი საფონდო: 217

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA2

ნაწილი საფონდო: 197

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GATELEADWHBU445XXPSA1

ნაწილი საფონდო: 130

GATELEADMPWHPK1258XXPSA1

ნაწილი საფონდო: 222

IDW30G65C5XKSA1

ნაწილი საფონდო: 5618

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDW24G65C5BXKSA2

ნაწილი საფონდო: 8231

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 13701

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH05SG60CXKSA2

ნაწილი საფონდო: 169

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA2

ნაწილი საფონდო: 28769

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 9A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 9A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDW20G65C5BXKSA2

ნაწილი საფონდო: 9329

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GATELEADWHBN661XXPSA1

ნაწილი საფონდო: 133

IDL04G65C5XUMA2

ნაწილი საფონდო: 178

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDW20G65C5XKSA1

ნაწილი საფონდო: 7363

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDW40G65C5BXKSA2

ნაწილი საფონდო: 4935

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDD03SG60CXTMA2

ნაწილი საფონდო: 202

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH16G65C5XKSA2

ნაწილი საფონდო: 9608

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 16A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDH06G65C6XKSA1

ნაწილი საფონდო: 25253

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

IDP30E65D1XKSA1

ნაწილი საფონდო: 46102

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 64ns,

IDP1301GXUMA1

ნაწილი საფონდო: 50176

D911SH45T

ნაწილი საფონდო: 250

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 4500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1140A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 6V @ 2500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),