FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 3.3µA @ 1200V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 35A,
FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5µA @ 1200V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 26A,
