დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 15

SIDC09D60F6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 478

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC06D60E6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 5056

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC07D60E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 487

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC42D120E6X1SA4

ნაწილი საფონდო: 486

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D120H6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 550

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 25A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC03D120F6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 536

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC30D120E6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 527

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC42D120F6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 554

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

IDH05S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 486

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC06D120F6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 5135

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC03D120H6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 524

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC42D60E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 568

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC08D60C6

ნაწილი საფონდო: 468

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC38D60C6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 517

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC23D120E6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 487

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 25A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

IDH10S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 537

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC50D60C6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 551

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC32D170HX1SA3

ნაწილი საფონდო: 559

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D60C6

ნაწილი საფონდო: 472

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC30D120H6X1SA4

ნაწილი საფონდო: 495

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC07D60F6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 5127

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 22.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 22.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC23D60E6YX1SA1

ნაწილი საფონდო: 475

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 50A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC06D120E6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 491

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC23D120H6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 558

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC110D170HX1SA2

ნაწილი საფონდო: 503

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC81D120F6X1SA1

ნაწილი საფონდო: 489

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC19D60SIC3

ნაწილი საფონდო: 503

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC06D60F6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 492

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC42D120H6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 536

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 75A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC59D170HX1SA2

ნაწილი საფონდო: 573

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC14D120E6X1SA4

ნაწილი საფონდო: 510

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC10D120H6X1SA5

ნაწილი საფონდო: 564

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC05D60C6X1SA2

ნაწილი საფონდო: 5100

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.95V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC81D60E6X1SA3

ნაწილი საფონდო: 496

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Infineon Technologies

IDH08S60CAKSA1

ნაწილი საფონდო: 469

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Infineon Technologies

SIDC85D170HX1SA2

ნაწილი საფონდო: 5079

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი