დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

GKR26/14

ნაწილი საფონდო: 12958

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/16

ნაწილი საფონდო: 12921

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/04

ნაწილი საფონდო: 13144

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/08

ნაწილი საფონდო: 13937

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/16

ნაწილი საფონდო: 12900

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB02SLT06-214

ნაწილი საფონდო: 1697

GKR26/08

ნაწილი საფონდო: 13917

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB05SLT12-220

ნაწილი საფონდო: 15869

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GKR26/04

ნაწილი საფონდო: 18368

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKN26/12

ნაწილი საფონდო: 12909

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GKR26/12

ნაწილი საფონდო: 12907

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GB10SLT12-214

ნაწილი საფონდო: 1651

GB10SLT12-220

ნაწილი საფონდო: 7775

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

MBRH30030RL

ნაწილი საფონდო: 1344

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GKN26/14

ნაწილი საფონდო: 12907

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRH30020L

ნაწილი საფონდო: 1318

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRH20045L

ნაწილი საფონდო: 1367

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GAP3SLT33-220FP

ნაწილი საფონდო: 4393

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 300mA, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

MBRH20030RL

ნაწილი საფონდო: 1318

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-252

ნაწილი საფონდო: 20729

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

MBRH20040L

ნაწილი საფონდო: 5076

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GB01SLT12-214

ნაწილი საფონდო: 33295

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GB02SLT12-252

ნაწილი საფონდო: 37881

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GB05SLT12-252

ნაწილი საფონდო: 17108

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

GB10SLT12-252

ნაწილი საფონდო: 9012

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,