თირისტორები - SCRs - მოდულები

GA060TH65

GA060TH65

ნაწილი საფონდო: 139

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 104A,

სასურველი
GA040TH65

GA040TH65

ნაწილი საფონდო: 134

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 40A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 69A,

სასურველი
GA080TH65

GA080TH65

ნაწილი საფონდო: 91

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 139A,

სასურველი
GA080TH65-227SP

GA080TH65-227SP

ნაწილი საფონდო: 37

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 139A,

სასურველი
GA040TH65-227SP

GA040TH65-227SP

ნაწილი საფონდო: 73

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 40A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 69A,

სასურველი
GA060TH65-227SP

GA060TH65-227SP

ნაწილი საფონდო: 46

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 104A,

სასურველი