Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
FR20G02
GeneSiC Semiconductor

FR20G02

ნაწილი საფონდო: 9608

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
MBR6040R
GeneSiC Semiconductor

MBR6040R

ნაწილი საფონდო: 5431

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S12Q
GeneSiC Semiconductor

S12Q

ნაწილი საფონდო: 12884

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3540R
GeneSiC Semiconductor

MBR3540R

ნაწილი საფონდო: 5687

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRH20020R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20020R

ნაწილი საფონდო: 2608

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRH12045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12045R

ნაწილი საფონდო: 2845

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR8060
GeneSiC Semiconductor

MBR8060

ნაწილი საფონდო: 5403

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRH240200R
GeneSiC Semiconductor

MBRH240200R

ნაწილი საფონდო: 32

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 240A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR7520
GeneSiC Semiconductor

MBR7520

ნაწილი საფონდო: 5420

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR7545R
GeneSiC Semiconductor

MBR7545R

ნაწილი საფონდო: 5427

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR7530R
GeneSiC Semiconductor

MBR7530R

ნაწილი საფონდო: 5376

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRH120150R
GeneSiC Semiconductor

MBRH120150R

ნაწილი საფონდო: 2740

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S70J
GeneSiC Semiconductor

S70J

ნაწილი საფონდო: 9616

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 70A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GKR71/08
GeneSiC Semiconductor

GKR71/08

ნაწილი საფონდო: 9662

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 95A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MUR5005
GeneSiC Semiconductor

MUR5005

ნაწილი საფონდო: 7605

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
FR12B02
GeneSiC Semiconductor

FR12B02

ნაწილი საფონდო: 15891

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
S25DR
GeneSiC Semiconductor

S25DR

ნაწილი საფონდო: 19271

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR12GR05
GeneSiC Semiconductor

FR12GR05

ნაწილი საფონდო: 12931

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
FR16D02
GeneSiC Semiconductor

FR16D02

ნაწილი საფონდო: 14942

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
FR30AR02
GeneSiC Semiconductor

FR30AR02

ნაწილი საფონდო: 9632

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
MBR35100R
GeneSiC Semiconductor

MBR35100R

ნაწილი საფონდო: 5747

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRH20020
GeneSiC Semiconductor

MBRH20020

ნაწილი საფონდო: 2616

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR70J02
GeneSiC Semiconductor

FR70J02

ნაწილი საფონდო: 9664

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor

MBRH20040

ნაწილი საფონდო: 2588

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S12BR
GeneSiC Semiconductor

S12BR

ნაწილი საფონდო: 33090

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S300GR
GeneSiC Semiconductor

S300GR

ნაწილი საფონდო: 1959

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR40BR05
GeneSiC Semiconductor

FR40BR05

ნაწილი საფონდო: 12084

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
FR70BR02
GeneSiC Semiconductor

FR70BR02

ნაწილი საფონდო: 9630

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
MBR7580
GeneSiC Semiconductor

MBR7580

ნაწილი საფონდო: 5436

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR40J02
GeneSiC Semiconductor

FR40J02

ნაწილი საფონდო: 9655

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
FR70JR05
GeneSiC Semiconductor

FR70JR05

ნაწილი საფონდო: 9665

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
S400YR
GeneSiC Semiconductor

S400YR

ნაწილი საფონდო: 1977

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRH24060R
GeneSiC Semiconductor

MBRH24060R

ნაწილი საფონდო: 73

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 240A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR6JR02
GeneSiC Semiconductor

FR6JR02

ნაწილი საფონდო: 12965

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
FR70B02
GeneSiC Semiconductor

FR70B02

ნაწილი საფონდო: 9666

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
MBR3560
GeneSiC Semiconductor

MBR3560

ნაწილი საფონდო: 5740

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი