დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 21

GKN240/12

ნაწილი საფონდო: 2355

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 320A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S300J

ნაწილი საფონდო: 2052

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR6045

ნაწილი საფონდო: 5433

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S320JR

ნაწილი საფონდო: 1959

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 320A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

ნაწილი საფონდო: 2683

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

ნაწილი საფონდო: 3738

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 165A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

ნაწილი საფონდო: 12880

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 95A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

ნაწილი საფონდო: 13647

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR40B02

ნაწილი საფონდო: 9617

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S150MR

ნაწილი საფონდო: 2539

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

ნაწილი საფონდო: 3710

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 90ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR85B02

ნაწილი საფონდო: 7804

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 85A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

ნაწილი საფონდო: 5366

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

ნაწილი საფონდო: 2900

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S70G

ნაწილი საფონდო: 9616

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 70A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S380Z

ნაწილი საფონდო: 1964

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 380A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 380A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

ნაწილი საფონდო: 64

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 240A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S70YR

ნაწილი საფონდო: 9576

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 70A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

ნაწილი საფონდო: 2861

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR20A02

ნაწილი საფონდო: 9627

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

ნაწილი საფონდო: 3687

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 165A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

ნაწილი საფონდო: 50

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 240A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

ნაწილი საფონდო: 2716

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

ნაწილი საფონდო: 9573

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 95A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S6J

ნაწილი საფონდო: 18937

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR7530

ნაწილი საფონდო: 5447

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

ნაწილი საფონდო: 2352

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 320A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

SD41

ნაწილი საფონდო: 6564

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S150J

ნაწილი საფონდო: 2509

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

ნაწილი საფონდო: 12966

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

ნაწილი საფონდო: 9655

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR40K05

ნაწილი საფონდო: 9575

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

ნაწილი საფონდო: 9582

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

ნაწილი საფონდო: 7621

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR40G05

ნაწილი საფონდო: 9612

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი