Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

ნაწილი საფონდო: 2009

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

ნაწილი საფონდო: 6509

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

ნაწილი საფონდო: 9525

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

ნაწილი საფონდო: 7151

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

ნაწილი საფონდო: 28962

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

ნაწილი საფონდო: 37909

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

ნაწილი საფონდო: 1555

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

ნაწილი საფონდო: 7175

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

ნაწილი საფონდო: 5989

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 85A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

ნაწილი საფონდო: 9642

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

ნაწილი საფონდო: 2856

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

ნაწილი საფონდო: 1824

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

ნაწილი საფონდო: 11196

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

ნაწილი საფონდო: 17999

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

ნაწილი საფონდო: 4212

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

ნაწილი საფონდო: 7131

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

ნაწილი საფონდო: 2177

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

ნაწილი საფონდო: 7084

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

ნაწილი საფონდო: 4392

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

ნაწილი საფონდო: 5997

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 85A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

ნაწილი საფონდო: 7124

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

ნაწილი საფონდო: 8348

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

ნაწილი საფონდო: 7130

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

ნაწილი საფონდო: 2457

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

ნაწილი საფონდო: 1505

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

ნაწილი საფონდო: 2179

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

ნაწილი საფონდო: 771

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 50A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

ნაწილი საფონდო: 7134

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

ნაწილი საფონდო: 7177

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

ნაწილი საფონდო: 1373

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

ნაწილი საფონდო: 7175

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

ნაწილი საფონდო: 7099

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

ნაწილი საფონდო: 7155

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

ნაწილი საფონდო: 4428

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

ნაწილი საფონდო: 1833

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

ნაწილი საფონდო: 7670

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი