რეზისტორული ქსელები, მასივები

743C083102JTR

743C083102JTR

ნაწილი საფონდო: 6177

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083683JTR

743C083683JTR

ნაწილი საფონდო: 6092

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083153JTR

743C083153JTR

ნაწილი საფონდო: 6154

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C043334JTR

743C043334JTR

ნაწილი საფონდო: 5622

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C083390JTR

743C083390JTR

ნაწილი საფონდო: 6175

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C163333JTR

742C163333JTR

ნაწილი საფონდო: 6085

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
742C163220JTR

742C163220JTR

ნაწილი საფონდო: 6077

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
742C163332JTR

742C163332JTR

ნაწილი საფონდო: 6115

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
742C083562JTR

742C083562JTR

ნაწილი საფონდო: 6152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083122JTR

742C083122JTR

ნაწილი საფონდო: 6147

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C043221JTR

742C043221JTR

ნაწილი საფონდო: 6143

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043472JTR

742C043472JTR

ნაწილი საფონდო: 6076

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
752123332GTR7

752123332GTR7

ნაწილი საფონდო: 6078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752083470G

752083470G

ნაწილი საფონდო: 6121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752105131ATR7

752105131ATR7

ნაწილი საფონდო: 6096

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
752083101G

752083101G

ნაწილი საფონდო: 6124

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752161103GTR7

752161103GTR7

ნაწილი საფონდო: 6077

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 14,

სასურველი
752083332GTR7

752083332GTR7

ნაწილი საფონდო: 6118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
767145131A

767145131A

ნაწილი საფონდო: 6088

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 24,

სასურველი
77085220/330

77085220/330

ნაწილი საფონდო: 6067

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
766145131A

766145131A

ნაწილი საფონდო: 5614

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 24,

სასურველი
767163823G

767163823G

ნაწილი საფონდო: 6070

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767145191A

767145191A

ნაწილი საფონდო: 6103

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 24,

სასურველი
767163331G

767163331G

ნაწილი საფონდო: 6111

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163472G

767163472G

ნაწილი საფონდო: 6057

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163103G

767163103G

ნაწილი საფონდო: 6118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163202G

767163202G

ნაწილი საფონდო: 6078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163152G

767163152G

ნაწილი საფონდო: 6120

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767161274G

767161274G

ნაწილი საფონდო: 6121

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161334G

767161334G

ნაწილი საფონდო: 6052

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161473G

767161473G

ნაწილი საფონდო: 5649

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161124G

767161124G

ნაწილი საფონდო: 6141

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161823G

767161823G

ნაწილი საფონდო: 6053

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161394G

767161394G

ნაწილი საფონდო: 6133

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767163330G

767163330G

ნაწილი საფონდო: 5606

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767161470G

767161470G

ნაწილი საფონდო: 6106

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი