რეზისტორული ქსელები, მასივები

741C083510J

741C083510J

ნაწილი საფონდო: 4715

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083470J

741C083470J

ნაწილი საფონდო: 4664

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083392J

741C083392J

ნაწილი საფონდო: 4664

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083391J

741C083391J

ნაწილი საფონდო: 4703

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083471J

741C083471J

ნაწილი საფონდო: 4661

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083334J

741C083334J

ნაწილი საფონდო: 4724

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083333J

741C083333J

ნაწილი საფონდო: 4702

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083332J

741C083332J

ნაწილი საფონდო: 4670

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083390J

741C083390J

ნაწილი საფონდო: 4732

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083273J

741C083273J

ნაწილი საფონდო: 5558

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083331J

741C083331J

ნაწილი საფონდო: 2572

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083330J

741C083330J

ნაწილი საფონდო: 4654

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083274J

741C083274J

ნაწილი საფონდო: 4651

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083224J

741C083224J

ნაწილი საფონდო: 4703

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083270J

741C083270J

ნაწილი საფონდო: 4685

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083271J

741C083271J

ნაწილი საფონდო: 4705

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083272J

741C083272J

ნაწილი საფონდო: 4661

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083223J

741C083223J

ნაწილი საფონდო: 5547

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083221J

741C083221J

ნაწილი საფონდო: 4703

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083222J

741C083222J

ნაწილი საფონდო: 4737

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083180J

741C083180J

ნაწილი საფონდო: 4652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083182J

741C083182J

ნაწილი საფონდო: 4730

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083153J

741C083153J

ნაწილი საფონდო: 4706

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083121J

741C083121J

ნაწილი საფონდო: 4739

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083150J

741C083150J

ნაწილი საფონდო: 4684

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083151J

741C083151J

ნაწილი საფონდო: 4697

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083105J

741C083105J

ნაწილი საფონდო: 4657

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083120J

741C083120J

ნაწილი საფონდო: 4695

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083104J

741C083104J

ნაწილი საფონდო: 4704

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083103J

741C083103J

ნაწილი საფონდო: 4652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083100J

741C083100J

ნაწილი საფონდო: 4724

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
741C083102J

741C083102J

ნაწილი საფონდო: 4667

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752091271G

752091271G

ნაწილი საფონდო: 5527

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
741C083101J

741C083101J

ნაწილი საფონდო: 4721

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
745C101334JTR

745C101334JTR

ნაწილი საფონდო: 4645

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
745C101474JTR

745C101474JTR

ნაწილი საფონდო: 4697

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი