რეზისტორული ქსელები, მასივები

752081222J

752081222J

ნაწილი საფონდო: 4724

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
746X101470J

746X101470J

ნაწილი საფონდო: 4680

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
742X083333J

742X083333J

ნაწილი საფონდო: 4699

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
752081222G

752081222G

ნაწილი საფონდო: 5497

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
742X083222J

742X083222J

ნაწილი საფონდო: 5561

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
745C101513J

745C101513J

ნაწილი საფონდო: 4648

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163472GTR13

766163472GTR13

ნაწილი საფონდო: 4653

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163471GTR7

766163471GTR7

ნაწილი საფონდო: 4668

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
745C101272JTR

745C101272JTR

ნაწილი საფონდო: 5546

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752083681G

752083681G

ნაწილი საფონდო: 4681

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
753181472GTR

753181472GTR

ნაწილი საფონდო: 5488

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
753091472GTR

753091472GTR

ნაწილი საფონდო: 4608

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753181223GTR

753181223GTR

ნაწილი საფონდო: 5495

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
753081103GTR

753081103GTR

ნაწილი საფონდო: 4609

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
753081103GB

753081103GB

ნაწილი საფონდო: 4679

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
753081102GTR

753081102GTR

ნაწილი საფონდო: 4665

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
752101332GTR7

752101332GTR7

ნაწილი საფონდო: 4658

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
752243220G

752243220G

ნაწილი საფონდო: 5552

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752243220GTR7

752243220GTR7

ნაწილი საფონდო: 4699

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 12,

სასურველი
752101332G

752101332G

ნაწილი საფონდო: 4608

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
768165191A

768165191A

ნაწილი საფონდო: 4677

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 28,

სასურველი
752101102GTR7

752101102GTR7

ნაწილი საფონდო: 4610

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
752101102G

752101102G

ნაწილი საფონდო: 4678

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
752101103G

752101103G

ნაწილი საფონდო: 4614

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9,

სასურველი
768165181A

768165181A

ნაწილი საფონდო: 4694

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 330, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 28,

სასურველი
768163824G

768163824G

ნაწილი საფონდო: 4676

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768165121A

768165121A

ნაწილი საფონდო: 4639

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 180, 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 28,

სასურველი
768163820G

768163820G

ნაწილი საფონდო: 4617

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163821G

768163821G

ნაწილი საფონდო: 4640

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163822G

768163822G

ნაწილი საფონდო: 4652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163823G

768163823G

ნაწილი საფონდო: 4674

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163682G

768163682G

ნაწილი საფონდო: 4680

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163683G

768163683G

ნაწილი საფონდო: 4662

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163681G

768163681G

ნაწილი საფონდო: 4666

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163684G

768163684G

ნაწილი საფონდო: 4612

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163562G

768163562G

ნაწილი საფონდო: 5485

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი