რეზისტორული ქსელები, მასივები

768163680G

768163680G

ნაწილი საფონდო: 4621

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163563G

768163563G

ნაწილი საფონდო: 4639

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163560G

768163560G

ნაწილი საფონდო: 4688

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163511G

768163511G

ნაწილი საფონდო: 4687

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163512G

768163512G

ნაწილი საფონდო: 4620

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163561G

768163561G

ნაწილი საფონდო: 4632

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163510G

768163510G

ნაწილი საფონდო: 4671

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163472G

768163472G

ნაწილი საფონდო: 4683

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163474G

768163474G

ნაწილი საფონდო: 4592

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163473G

768163473G

ნაწილი საფონდო: 4624

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163394G

768163394G

ნაწილი საფონდო: 4633

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163393G

768163393G

ნაწილი საფონდო: 4674

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163470G

768163470G

ნაწილი საფონდო: 4595

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163471G

768163471G

ნაწილი საფონდო: 4630

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163390G

768163390G

ნაწილი საფონდო: 4619

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163392G

768163392G

ნაწილი საფონდო: 4611

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163334G

768163334G

ნაწილი საფონდო: 4589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163331G

768163331G

ნაწილი საფონდო: 4624

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163330G

768163330G

ნაწილი საფონდო: 5467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163332G

768163332G

ნაწილი საფონდო: 4629

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163273G

768163273G

ნაწილი საფონდო: 4652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163270G

768163270G

ნაწილი საფონდო: 4631

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163271G

768163271G

ნაწილი საფონდო: 4669

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163223G

768163223G

ნაწილი საფონდო: 4630

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163221G

768163221G

ნაწილი საფონდო: 4645

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163222G

768163222G

ნაწილი საფონდო: 4627

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163202G

768163202G

ნაწილი საფონდო: 4674

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163201G

768163201G

ნაწილი საფონდო: 5551

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163203G

768163203G

ნაწილი საფონდო: 5523

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163220G

768163220G

ნაწილი საფონდო: 4596

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163182G

768163182G

ნაწილი საფონდო: 4637

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163181G

768163181G

ნაწილი საფონდო: 4622

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163184G

768163184G

ნაწილი საფონდო: 4589

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163183G

768163183G

ნაწილი საფონდო: 4666

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163152G

768163152G

ნაწილი საფონდო: 4605

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163154G

768163154G

ნაწილი საფონდო: 4665

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი