რეზისტორული ქსელები, მასივები

768163224G

768163224G

ნაწილი საფონდო: 6103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163391G

768163391G

ნაწილი საფონდო: 6152

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768163272G

768163272G

ნაწილი საფონდო: 6159

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768161564G

768161564G

ნაწილი საფონდო: 6184

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
768163121G

768163121G

ნაწილი საფონდო: 5649

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
768161392G

768161392G

ნაწილი საფონდო: 6150

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
768161471G

768161471G

ნაწილი საფონდო: 6169

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
768143102G

768143102G

ნაწილი საფონდო: 6094

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
768143184G

768143184G

ნაწილი საფონდო: 6105

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
768141681G

768141681G

ნაწილი საფონდო: 5610

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
768143271G

768143271G

ნაწილი საფონდო: 6133

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
768141151G

768141151G

ნაწილი საფონდო: 6131

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
768141202G

768141202G

ნაწილი საფონდო: 6094

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
768141333G

768141333G

ნაწილი საფონდო: 6106

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
768141560G

768141560G

ნაწილი საფონდო: 6152

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
753163103GTR

753163103GTR

ნაწილი საფონდო: 6138

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752091104GTR7

752091104GTR7

ნაწილი საფონდო: 5678

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
746X101102J

746X101102J

ნაწილი საფონდო: 6098

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752091101G

752091101G

ნაწილი საფონდო: 6104

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
753083104GTR

753083104GTR

ნაწილი საფონდო: 6136

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
746X101101J

746X101101J

ნაწილი საფონდო: 6171

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
746X101151J

746X101151J

ნაწილი საფონდო: 6158

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
752091101GTR7

752091101GTR7

ნაწილი საფონდო: 6158

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
744C083474JTR

744C083474JTR

ნაწილი საფონდო: 6149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
745C101473JTR

745C101473JTR

ნაწილი საფონდო: 5621

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
744C083122JTR

744C083122JTR

ნაწილი საფონდო: 6137

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083563JTR

744C083563JTR

ნაწილი საფონდო: 6133

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083224JTR

744C083224JTR

ნაწილი საფონდო: 6094

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083392JTR

744C083392JTR

ნაწილი საფონდო: 6158

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083272JTR

744C083272JTR

ნაწილი საფონდო: 6106

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083332JTR

744C083332JTR

ნაწილი საფონდო: 5694

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083153JTR

744C083153JTR

ნაწილი საფონდო: 5636

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083111JTR

744C083111JTR

ნაწილი საფონდო: 6113

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083824JTR

743C083824JTR

ნაწილი საფონდო: 6158

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C043224JTR

744C043224JTR

ნაწილი საფონდო: 6105

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043223JTR

744C043223JTR

ნაწილი საფონდო: 6080

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი