ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

RVXE-280-SB-071504

RVXE-280-SB-071504

ნაწილი საფონდო: 4494

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 280nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 6.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

LHUV-0425-0650

LHUV-0425-0650

ნაწილი საფონდო: 7423

ტიპი: Visible, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 675mW/sr @ 500mA, ტალღის სიგრძე: 425nm ~ 430nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 125°,

L1F3-U390100004001

L1F3-U390100004001

ნაწილი საფონდო: 1075

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 390nm ~ 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 140°,

LHUV-0400-0500

LHUV-0400-0500

ნაწილი საფონდო: 7491

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 525mW/sr @ 500mA, ტალღის სიგრძე: 400nm ~ 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 125°,

SFH 4505

SFH 4505

ნაწილი საფონდო: 900

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 20°,

SFH 4841 E7800

SFH 4841 E7800

ნაწილი საფონდო: 67470

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 6.3mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 64°,

SFH 4650 R33-Z

SFH 4650 R33-Z

ნაწილი საფონდო: 1111

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 30°,

SFH 485-2

SFH 485-2

ნაწილი საფონდო: 911

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 40°,

SFH 415

SFH 415

ნაწილი საფონდო: 6098

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 34°,

SFH 4555

SFH 4555

ნაწილი საფონდო: 130844

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 550mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 10°,

SFH 409-2

SFH 409-2

ნაწილი საფონდო: 1017

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 40°,

HIR204C/H0

HIR204C/H0

ნაწილი საფონდო: 143651

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 40°,

QED233A4A0

QED233A4A0

ნაწილი საფონდო: 987

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 40°,

QED523

QED523

ნაწილი საფონდო: 886

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 40mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 20°,

QED233A4R0

QED233A4R0

ნაწილი საფონდო: 962

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 40°,

OP269C

OP269C

ნაწილი საფონდო: 946

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.34mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 18°,

OP296C

OP296C

ნაწილი საფონდო: 932

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 20°,

OP265C

OP265C

ნაწილი საფონდო: 935

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 18°,

OP224K

OP224K

ნაწილი საფონდო: 998

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 24°,

OP245D

OP245D

ნაწილი საფონდო: 946

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 40°,

OUE8A385Y1

OUE8A385Y1

ნაწილი საფონდო: 999

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 380nm ~ 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.3V, Ხედვის კუთხე: 18°,

LZP-D0UA00-00U7

LZP-D0UA00-00U7

ნაწილი საფონდო: 6113

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A (x4), ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 22V, Ხედვის კუთხე: 115°,

LN55

LN55

ნაწილი საფონდო: 943

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.8mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 70°,

TSHF5210

TSHF5210

ნაწილი საფონდო: 107707

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 120mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 20°,

TSKS5400S

TSKS5400S

ნაწილი საფონდო: 75498

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 60°,

VSLB9530S

VSLB9530S

ნაწილი საფონდო: 1007

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 60mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.28V, Ხედვის კუთხე: 36°,

MTE5066NJ2-UR-25.4

MTE5066NJ2-UR-25.4

ნაწილი საფონდო: 1144

MTE5062NJ2-UR

MTE5062NJ2-UR

ნაწილი საფონდო: 1082

MTE6000P

MTE6000P

ნაწილი საფონდო: 4245

ტიპი: Visible, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 600nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.8V, Ხედვის კუთხე: 12°,

XZTHI53W

XZTHI53W

ნაწილი საფონდო: 191957

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.7mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

SME2470-011

SME2470-011

ნაწილი საფონდო: 20369

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 75mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V,

HSDL-4261-A01

HSDL-4261-A01

ნაწილი საფონდო: 996

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 36mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 26°,

LTE-5208A

LTE-5208A

ნაწილი საფონდო: 135700

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3.31mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 40°,

VTAN1116P-TR

VTAN1116P-TR

ნაწილი საფონდო: 840

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.25V, Ხედვის კუთხე: 40°,

CBM-120-UV-C31-K400-22

CBM-120-UV-C31-K400-22

ნაწილი საფონდო: 499

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 403nm (400nm ~ 405nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C31-L400-21

CBM-120-UV-C31-L400-21

ნაწილი საფონდო: 379

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 403nm (400nm ~ 405nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,