ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

GL610T

GL610T

ნაწილი საფონდო: 977

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

GL528V

GL528V

ნაწილი საფონდო: 975

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 12mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 26°,

SFH 4750

SFH 4750

ნაწილი საფონდო: 7616

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 630mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 12V, Ხედვის კუთხე: 70°,

SFH 4740

SFH 4740

ნაწილი საფონდო: 6183

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1400mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 15.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

SFH 4783

SFH 4783

ნაწილი საფონდო: 1088

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2300mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: 24°,

SFH 4730

SFH 4730

ნაწილი საფონდო: 970

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 630mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 18V, Ხედვის კუთხე: 120°,

LD 263

LD 263

ნაწილი საფონდო: 6106

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.5mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.25V, Ხედვის კუთხე: 30°,

CBT-120-UV-C31-N400-22

CBT-120-UV-C31-N400-22

ნაწილი საფონდო: 360

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30A, ტალღის სიგრძე: 403nm (400nm ~ 405nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C31-H365-21

CBM-120-UV-C31-H365-21

ნაწილი საფონდო: 238

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 12A, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C14-L400-22

CBM-120-UV-C14-L400-22

ნაწილი საფონდო: 470

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 403nm (400nm ~ 405nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

LZ1-00UB00-00U6

LZ1-00UB00-00U6

ნაწილი საფონდო: 9905

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.7V, Ხედვის კუთხე: 68°,

LZ4-00U600-00U0

LZ4-00U600-00U0

ნაწილი საფონდო: 1072

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 16.4V, Ხედვის კუთხე: 115°,

LZC-70UA00-00U4

LZC-70UA00-00U4

ნაწილი საფონდო: 1043

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 44V, Ხედვის კუთხე: 95°,

LZC-00U600-0000

LZC-00U600-0000

ნაწილი საფონდო: 1007

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 49V, Ხედვის კუთხე: 95°,

LZ4-40UA00-00U6

LZ4-40UA00-00U6

ნაწილი საფონდო: 1017

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.1V, Ხედვის კუთხე: 97°,

SE5470-001

SE5470-001

ნაწილი საფონდო: 7667

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 20°,

SE1450-004

SE1450-004

ნაწილი საფონდო: 16702

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 24°,

LHUV-0400-0400

LHUV-0400-0400

ნაწილი საფონდო: 11796

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 435mW/sr @ 500mA, ტალღის სიგრძე: 400nm ~ 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 125°,

LHUV-0395-0600

LHUV-0395-0600

ნაწილი საფონდო: 1115

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 395nm ~ 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 125°,

SM1206UV-390

SM1206UV-390

ნაწილი საფონდო: 40290

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, ტალღის სიგრძე: 390nm ~ 395nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 140°,

W53SF4C

W53SF4C

ნაწილი საფონდო: 964

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 20°,

VSMF4720-GS08

VSMF4720-GS08

ნაწილი საფონდო: 116879

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 120°,

PDI-E815

PDI-E815

ნაწილი საფონდო: 917

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 180mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 10°,

PDI-E902

PDI-E902

ნაწილი საფონდო: 879

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 80°,

PDI-E913

PDI-E913

ნაწილი საფონდო: 958

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 180mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 20°,

HSDL-4420#011

HSDL-4420#011

ნაწილი საფონდო: 142645

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 24°,

HSDL-4220#002

HSDL-4220#002

ნაწილი საფონდო: 951

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 22mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 30°,

OP269B

OP269B

ნაწილი საფონდო: 930

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.42mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 18°,

OPA80SM5BZ

OPA80SM5BZ

ნაწილი საფონდო: 965

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 12V, Ხედვის კუთხე: 25°,

OP250

OP250

ნაწილი საფონდო: 918

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 160°,

OED-CL-1L2

OED-CL-1L2

ნაწილი საფონდო: 897

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 60°,

HIR19-21C/L11/TR8

HIR19-21C/L11/TR8

ნაწილი საფონდო: 104633

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 65mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 145°,

EAUVA2016EF4

EAUVA2016EF4

ნაწილი საფონდო: 165360

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.5V, Ხედვის კუთხე: 125°,

IR11-21C/TR8

IR11-21C/TR8

ნაწილი საფონდო: 163710

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 65mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 100°,

MTPS9085P

MTPS9085P

ნაწილი საფონდო: 1064

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: ,

DN1102W-TR

DN1102W-TR

ნაწილი საფონდო: 1117