ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

15412094A3060

15412094A3060

ნაწილი საფონდო: 147

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 30°,

15411494AA570

15411494AA570

ნაწილი საფონდო: 181

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 150°,

15400394A3590

15400394A3590

ნაწილი საფონდო: 170372

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 35°,

15400585A3590

15400585A3590

ნაწილი საფონდო: 71194

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 35mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 35°,

15335340AA350

15335340AA350

ნაწილი საფონდო: 7961

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 800mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.5V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15435385A9050

15435385A9050

ნაწილი საფონდო: 22246

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 350mW/sr @ 1A (Typ), ტალღის სიგრძე: 855nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.2V, Ხედვის კუთხე: 90°,

15435394A9050

15435394A9050

ნაწილი საფონდო: 18070

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 300mW/sr @ 1A (Typ), ტალღის სიგრძე: 945nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 90°,

15335338AA350

15335338AA350

ნაწილი საფონდო: 7440

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 800mA, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.5V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15335339AA350

15335339AA350

ნაწილი საფონდო: 7641

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 800mA, ტალღის სიგრძე: 395nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.5V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15400594A3590

15400594A3590

ნაწილი საფონდო: 170373

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 35°,

15400385A3590

15400385A3590

ნაწილი საფონდო: 63679

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 35°,

15435385AA350

15435385AA350

ნაწილი საფონდო: 22238

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 250mW/sr @ 1A (Typ), ტალღის სიგრძე: 855nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.2V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15435394AA350

15435394AA350

ნაწილი საფონდო: 18155

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 220mW/sr @ 1A (Typ), ტალღის სიგრძე: 945nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.9V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15414194BA210

15414194BA210

ნაწილი საფონდო: 8612

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

15414185BA210

15414185BA210

ნაწილი საფონდო: 8663

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

15412085A3060

15412085A3060

ნაწილი საფონდო: 8677

ტიპი: Infrared (IR), რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 15mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 30°,

15411485AA370

15411485AA370

ნაწილი საფონდო: 9923

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15406085BA300

15406085BA300

ნაწილი საფონდო: 13225

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 130°,

15406094BA500

15406094BA500

ნაწილი საფონდო: 13262

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.4mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 150°,

1N6265

1N6265

ნაწილი საფონდო: 913

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 80°,

1N6266

1N6266

ნაწილი საფონდო: 934

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 20°,

1N6264

1N6264

ნაწილი საფონდო: 855

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 16°,

350-00003

350-00003

ნაწილი საფონდო: 68

ტიპი: Infrared (IR),

350-00017

350-00017

ნაწილი საფონდო: 51

ტიპი: Infrared (IR),

5IRC-940

5IRC-940

ნაწილი საფონდო: 164449

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.8mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 20°,

5IRC-940-F

5IRC-940-F

ნაწილი საფონდო: 105630

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7.0mW/cm² @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 15°,

APT2012SF4C-PRV

APT2012SF4C-PRV

ნაწილი საფონდო: 167470

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

APT1608SF4C-PRV

APT1608SF4C-PRV

ნაწილი საფონდო: 196187

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

APPA3010SF4C-P22

APPA3010SF4C-P22

ნაწილი საფონდო: 63

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 30°,

APA3010F3C

APA3010F3C

ნაწილი საფონდო: 114905

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.4mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 120°,

AM2520F3C03-P22

AM2520F3C03-P22

ნაწილი საფონდო: 100

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 8mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 20°,

AP2012SF4C-P22

AP2012SF4C-P22

ნაწილი საფონდო: 86

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 160°,

APA1606SF4C-P22

APA1606SF4C-P22

ნაწილი საფონდო: 73

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 110°,

APT2012F3C

APT2012F3C

ნაწილი საფონდო: 123114

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 120°,

AP1608SF4C

AP1608SF4C

ნაწილი საფონდო: 101344

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,

AA3528SF4S-R

AA3528SF4S-R

ნაწილი საფონდო: 118007

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.2mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 120°,