ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

CBM-120-UV-C14-FA365-21

CBM-120-UV-C14-FA365-21

ნაწილი საფონდო: 287

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C14-L390-21

CBM-120-UV-C14-L390-21

ნაწილი საფონდო: 433

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 393nm (390nm ~ 395nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C14-L395-21

CBM-120-UV-C14-L395-21

ნაწილი საფონდო: 435

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 398nm (395nm ~ 400nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBM-120-UV-C31-K390-22

CBM-120-UV-C31-K390-22

ნაწილი საფონდო: 468

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 393nm (390nm ~ 395nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,

CBT-90-UV-C31-GB400-22

CBT-90-UV-C31-GB400-22

ნაწილი საფონდო: 997

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 22.5A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V,

LTE-3371A

LTE-3371A

ნაწილი საფონდო: 7667

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 6.77mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.25V, Ხედვის კუთხე: 40°,

HSDL-4261

HSDL-4261

ნაწილი საფონდო: 112702

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 36mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 26°,

OP280KT

OP280KT

ნაწილი საფონდო: 931

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.55V, Ხედვის კუთხე: 90°,

OUE8A410Y1

OUE8A410Y1

ნაწილი საფონდო: 987

ტიპი: Visible, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 405nm ~ 410nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.3V, Ხედვის კუთხე: 18°,

OP291B

OP291B

ნაწილი საფონდო: 969

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2V, Ხედვის კუთხე: 50°,

OPA81SM5AZ

OPA81SM5AZ

ნაწილი საფონდო: 996

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 12V, Ხედვის კუთხე: 25°,

OPA80SM5AZ

OPA80SM5AZ

ნაწილი საფონდო: 952

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 12V, Ხედვის კუთხე: 25°,

SFH 482

SFH 482

ნაწილი საფონდო: 1018

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 200mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3.15mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 60°,

SFH 482-2/3

SFH 482-2/3

ნაწილი საფონდო: 977

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 200mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 60°,

SFH 4350

SFH 4350

ნაწილი საფონდო: 77933

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 200mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 860nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 26°,

SFH 4605-Z

SFH 4605-Z

ნაწილი საფონდო: 958

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 16mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 40°,

SFH 4203

SFH 4203

ნაწილი საფონდო: 883

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 130°,

SFH 4111

SFH 4111

ნაწილი საფონდო: 972

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.25V, Ხედვის კუთხე: 60°/120°,

SFH 4545

SFH 4545

ნაწილი საფონდო: 97642

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 550mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 10°,

LHUV-0410-0700

LHUV-0410-0700

ნაწილი საფონდო: 1147

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 410nm ~ 415nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 125°,

LHUV-0405-461

LHUV-0405-461

ნაწილი საფონდო: 1135

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 405nm ~ 410nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 125°,

LHUV-0425-0550

LHUV-0425-0550

ნაწილი საფონდო: 11782

ტიპი: Visible, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 575mW/sr @ 500mA, ტალღის სიგრძე: 425nm ~ 430nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3V, Ხედვის კუთხე: 125°,

L1F3-U390200014000

L1F3-U390200014000

ნაწილი საფონდო: 1089

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 2A, ტალღის სიგრძე: 390nm ~ 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 140°,

TSML1020

TSML1020

ნაწილი საფონდო: 189265

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 24°,

VSMB2948SL

VSMB2948SL

ნაწილი საფონდო: 167446

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 50°,

TS8520VA

TS8520VA

ნაწილი საფონდო: 1091

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 250mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 120°,

LZ1-00UA00-00U6

LZ1-00UA00-00U6

ნაწილი საფონდო: 6122

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.1V, Ხედვის კუთხე: 74°,

LZ1-30UA00-0U67

LZ1-30UA00-0U67

ნაწილი საფონდო: 1086

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.1V, Ხედვის კუთხე: 74°,

LZ1-30UA00-0000

LZ1-30UA00-0000

ნაწილი საფონდო: 6184

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.1V, Ხედვის კუთხე: 74°,

SEP8736-002

SEP8736-002

ნაწილი საფონდო: 31434

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.2mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 10°,

SE1450-001

SE1450-001

ნაწილი საფონდო: 19479

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 24°,

PDI-E808-A

PDI-E808-A

ნაწილი საფონდო: 947

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V,

SSL-LXTO46365C

SSL-LXTO46365C

ნაწილი საფონდო: 984

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, ტალღის სიგრძე: 365nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V, Ხედვის კუთხე: 80°,

HIR7393C

HIR7393C

ნაწილი საფონდო: 146459

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 50°,

LN175

LN175

ნაწილი საფონდო: 876

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 900nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

QEE273

QEE273

ნაწილი საფონდო: 961

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 18mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 30°,