ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 24°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.27mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 104°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 5V, Ხედვის კუთხე: 25°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.3mW/cm² @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.1mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 40°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 12V, Ხედვის კუთხე: 18°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 40mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 34°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 250mW/sr @ 1A, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 120°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 16mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 64°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 50mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 20°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 80°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.28mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 70°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 16°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.6mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 70°,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 395nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 4.1V, Ხედვის კუთხე: 74°,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 44V, Ხედვის კუთხე: 95°,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 44V, Ხედვის კუთხე: 95°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 24°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 935nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.7V, Ხედვის კუთხე: 90°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 1.1mW/cm² @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 18A, ტალღის სიგრძე: 403nm (400nm ~ 405nm), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.6V,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30A, ტალღის სიგრძე: 382nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.7V,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 385nm ~ 390nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 125°,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 380nm ~ 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.2V, Ხედვის კუთხე: 125°,
ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 475mW/sr @ 500mA, ტალღის სიგრძე: 395nm ~ 400nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.1V, Ხედვის კუთხე: 125°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 10°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 880nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 20°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.8mW/sr @ 10mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 60°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 120°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: 56°,
ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.5mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 34°,
