დიოდები - ხიდის გამსწორებლები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

SC3BK4F

ნაწილი საფონდო: 325

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 11A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 9A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 9µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Semtech Corporation

SBR10F

ნაწილი საფონდო: 903

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

Semtech Corporation

SCBH2F

ნაწილი საფონდო: 1066

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 200V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT160KPBF

ნაწილი საფონდო: 892

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 160A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4A-M3/45

ნაწილი საფონდო: 91486

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-100MT160PBPBF

ნაწილი საფონდო: 1997

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.51V @ 100A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-51MT80KPBF

ნაწილი საფონდო: 862

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 55A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-130MT160C

ნაწილი საფონდო: 174

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 130A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.05V @ 300A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC25005-E4/51

ნაწილი საფონდო: 17621

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC104

ნაწილი საფონდო: 87473

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF04SA-E3/77

ნაწილი საფონდო: 127244

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8K-M3/51

ნაწილი საფონდო: 85620

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF01S-E3/77

ნაწილი საფონდო: 132392

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBL04-E4/51

ნაწილი საფონდო: 59135

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU6B-E4/51

ნაწილი საფონდო: 19358

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1007 D2G

ნაწილი საფონდო: 207

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P02G C2G

ნაწილი საფონდო: 164

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P04G D2G

ნაწილი საფონდო: 217

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P01GHD2G

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P04GHD2G

ნაწილი საფონდო: 239

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P05G D2G

ნაწილი საფონდო: 4917

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 15A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF305G B0G

ნაწილი საფონდო: 8776

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VBO54-16NO7

ნაწილი საფონდო: 4998

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 54A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 40µA @ 1600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUM85-05A

ნაწილი საფონდო: 893

დიოდის ტიპი: Three Phase (PFC Module), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 47A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 45A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500µA @ 600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUE35-06NO7

ნაწილი საფონდო: 4559

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 56A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.01V @ 15A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VBO130-18NO7

ნაწილი საფონდო: 1159

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.8kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 122A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 300A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 300µA @ 1800V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUO52-22NO1

ნაწილი საფონდო: 1963

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 2.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.13V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 40µA @ 2200V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

GBJ2501-BP

ნაწილი საფონდო: 40705

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

GBU6G-BP

ნაწილი საფონდო: 83241

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

KBP306G-BP

ნაწილი საფონდო: 11198

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

GBJ5010-BP

ნაწილი საფონდო: 27804

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

GBJ1510-BP

ნაწილი საფონდო: 55137

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

Central Semiconductor Corp

CBRLDSH1-40 TR13

ნაწილი საფონდო: 186849

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 40V,

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

GBPC2506W

ნაწილი საფონდო: 1854

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

GBPC3504W

ნაწილი საფონდო: 23810

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

CDBHD160L-G

ნაწილი საფონდო: 120993

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 625mV @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 500µA @ 60V,

სურვილისამებრ