დიოდები - ხიდის გამსწორებლები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

SCAJ4F

ნაწილი საფონდო: 700

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Semtech Corporation

SC3BJ1F

ნაწილი საფონდო: 500

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 3µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Semtech Corporation

SBMA2F

ნაწილი საფონდო: 1190

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 200V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6G-M3/51

ნაწილი საფონდო: 87559

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6A-M3/51

ნაწილი საფონდო: 87599

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

DFL1502S-E3/45

ნაწილი საფონდო: 164663

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6G-E3/51

ნაწილი საფონდო: 85985

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA80-M3/45

ნაწილი საფონდო: 82075

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1508-E4/51

ნაწილი საფონდო: 23949

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MT10

ნაწილი საფონდო: 4715

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6B-M3/51

ნაწილი საფონდო: 87595

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-26MB140A

ნაწილი საფონდო: 6499

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1400V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF01SA-E3/45

ნაწილი საფონდო: 122956

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110MT120KPBF

ნაწილი საფონდო: 1010

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 110A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MB60A

ნაწილი საფონდო: 10053

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

GBJ1510TB

ნაწილი საფონდო: 65401

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

GBPC2506WTA

ნაწილი საფონდო: 27637

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUO60-14NO3

ნაწილი საფონდო: 2672

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 72A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 150A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 300µA @ 1400V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUO86-12NO7

ნაწილი საფონდო: 5471

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 86A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.14V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 40µA @ 1200V,

სურვილისამებრ

IXYS

FBO16-12N

ნაწილი საფონდო: 13533

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 22A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.43V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1200V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUO80-14NO1

ნაწილი საფონდო: 2352

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 82A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.14V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 40µA @ 1400V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUI30-12N1

ნაწილი საფონდო: 2159

დიოდის ტიპი: Three Phase (PFC Module), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 750µA @ 1200V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUO98-12NO7

ნაწილი საფონდო: 3751

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.14V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1200V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUM33-05N

ნაწილი საფონდო: 1354

დიოდის ტიპი: Single Phase (PFC Module), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 54A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.5mA @ 600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VUM24-05N

ნაწილი საფონდო: 1900

დიოდის ტიპი: Single Phase (PFC Module), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 22A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1.5mA @ 600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VBO78-16NO7

ნაწილი საფონდო: 3458

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 78A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.14V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1600V,

სურვილისამებრ

IXYS

VBO13-16NO2

ნაწილი საფონდო: 3624

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 55A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 300µA @ 1600V,

სურვილისამებრ

Bourns Inc.

CD-MBL208S

ნაწილი საფონდო: 179819

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

GBJ2510-03-G

ნაწილი საფონდო: 119

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

DB105-G

ნაწილი საფონდო: 193202

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

GBPC1501W-G

ნაწილი საფონდო: 36197

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS101GHC1G

ნაწილი საფონდო: 153

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 50V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL06GHD2G

ნაწილი საფონდო: 205

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4004 T0G

ნაწილი საფონდო: 155

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

GBJL2008-BP

ნაწილი საფონდო: 137693

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

GBJ1502-BP

ნაწილი საფონდო: 55083

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სურვილისამებრ