Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

2N5210_J05Z
ON Semiconductor

2N5210_J05Z

ნაწილი საფონდო: 5694

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5089TAR
ON Semiconductor

2N5089TAR

ნაწილი საფონდო: 5735

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5172_D27Z
ON Semiconductor

2N5172_D27Z

ნაწილი საფონდო: 5689

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N5089_J18Z
ON Semiconductor

2N5089_J18Z

ნაწილი საფონდო: 5732

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5087TAR
ON Semiconductor

2N5087TAR

ნაწილი საფონდო: 6641

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5088_D11Z
ON Semiconductor

2N5088_D11Z

ნაწილი საფონდო: 5700

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5087_J18Z
ON Semiconductor

2N5087_J18Z

ნაწილი საფონდო: 5674

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N4953
ON Semiconductor

2N4953

ნაწილი საფონდო: 6655

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N4402TAR
ON Semiconductor

2N4402TAR

ნაწილი საფონდო: 5733

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

სურვილისამებრ
2N4401_S00Z
ON Semiconductor

2N4401_S00Z

ნაწილი საფონდო: 5738

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4401_J61Z
ON Semiconductor

2N4401_J61Z

ნაწილი საფონდო: 5683

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4401_J18Z
ON Semiconductor

2N4401_J18Z

ნაწილი საფონდო: 5717

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4401_J25Z
ON Semiconductor

2N4401_J25Z

ნაწილი საფონდო: 5739

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4401_D81Z
ON Semiconductor

2N4401_D81Z

ნაწილი საფონდო: 5738

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4401_J05Z
ON Semiconductor

2N4401_J05Z

ნაწილი საფონდო: 5658

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4401_D11Z
ON Semiconductor

2N4401_D11Z

ნაწილი საფონდო: 5722

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4400_D81Z
ON Semiconductor

2N4400_D81Z

ნაწილი საფონდო: 6588

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4126TAR
ON Semiconductor

2N4126TAR

ნაწილი საფონდო: 5671

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4124_S00Z
ON Semiconductor

2N4124_S00Z

ნაწილი საფონდო: 5712

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4124TAR
ON Semiconductor

2N4124TAR

ნაწილი საფონდო: 5735

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4124_J18Z
ON Semiconductor

2N4124_J18Z

ნაწილი საფონდო: 5681

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4123TAR
ON Semiconductor

2N4123TAR

ნაწილი საფონდო: 5655

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3906_J18Z
ON Semiconductor

2N3906_J18Z

ნაწილი საფონდო: 5647

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3906_J25Z
ON Semiconductor

2N3906_J25Z

ნაწილი საფონდო: 5695

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3906_J05Z
ON Semiconductor

2N3906_J05Z

ნაწილი საფონდო: 5663

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3906_D81Z
ON Semiconductor

2N3906_D81Z

ნაწილი საფონდო: 5694

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3906_D27ZS00Z
ON Semiconductor

2N3906_D27ZS00Z

ნაწილი საფონდო: 5684

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3906_D11Z
ON Semiconductor

2N3906_D11Z

ნაწილი საფონდო: 5643

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3904_J61Z
ON Semiconductor

2N3904_J61Z

ნაწილი საფონდო: 5705

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3905TAR
ON Semiconductor

2N3905TAR

ნაწილი საფონდო: 5721

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3904_J25Z
ON Semiconductor

2N3904_J25Z

ნაწილი საფონდო: 5697

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3904_J18Z
ON Semiconductor

2N3904_J18Z

ნაწილი საფონდო: 5670

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3904_D81Z
ON Semiconductor

2N3904_D81Z

ნაწილი საფონდო: 5636

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3904_D28Z
ON Semiconductor

2N3904_D28Z

ნაწილი საფონდო: 5688

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N6039G
ON Semiconductor

2N6039G

ნაწილი საფონდო: 104692

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

სურვილისამებრ
2N3903_S00Z
ON Semiconductor

2N3903_S00Z

ნაწილი საფონდო: 5689

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ