Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

2SA1668
Sanken

2SA1668

ნაწილი საფონდო: 45281

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V,

სურვილისამებრ
2SD2016
Sanken

2SD2016

ნაწილი საფონდო: 44421

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

სურვილისამებრ
2SC3835
Sanken

2SC3835

ნაწილი საფონდო: 25637

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

სურვილისამებრ
2SA1488
Sanken

2SA1488

ნაწილი საფონდო: 44401

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V,

სურვილისამებრ
2SC4153
Sanken

2SC4153

ნაწილი საფონდო: 39453

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

სურვილისამებრ
2SC4546
Sanken

2SC4546

ნაწილი საფონდო: 34133

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სურვილისამებრ
2N3905
Central Semiconductor Corp

2N3905

ნაწილი საფონდო: 128544

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N6034G
ON Semiconductor

2N6034G

ნაწილი საფონდო: 100402

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

სურვილისამებრ
2N7053
ON Semiconductor

2N7053

ნაწილი საფონდო: 5830

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 200nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

სურვილისამებრ
2N5962_D74Z
ON Semiconductor

2N5962_D74Z

ნაწილი საფონდო: 5829

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5550_J24Z
ON Semiconductor

2N5550_J24Z

ნაწილი საფონდო: 5822

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5401_S00Z
ON Semiconductor

2N5401_S00Z

ნაწილი საფონდო: 5813

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5401_J61Z
ON Semiconductor

2N5401_J61Z

ნაწილი საფონდო: 5816

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5400_S00Z
ON Semiconductor

2N5400_S00Z

ნაწილი საფონდო: 6652

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5400_D81Z
ON Semiconductor

2N5400_D81Z

ნაწილი საფონდო: 6622

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5400_D26Z
ON Semiconductor

2N5400_D26Z

ნაწილი საფონდო: 5768

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5210_S00Z
ON Semiconductor

2N5210_S00Z

ნაწილი საფონდო: 5865

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5210_D81Z
ON Semiconductor

2N5210_D81Z

ნაწილი საფონდო: 5804

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N6426_D74Z
ON Semiconductor

2N6426_D74Z

ნაწილი საფონდო: 5776

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 500mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N7051_D10Z
ON Semiconductor

2N7051_D10Z

ნაწილი საფონდო: 5846

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 200nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

სურვილისამებრ
2N6076_D75Z
ON Semiconductor

2N6076_D75Z

ნაწილი საფონდო: 5835

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N6076_D27Z
ON Semiconductor

2N6076_D27Z

ნაწილი საფონდო: 5837

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N6076_D26Z
ON Semiconductor

2N6076_D26Z

ნაწილი საფონდო: 6667

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N5772_D75Z
ON Semiconductor

2N5772_D75Z

ნაწილი საფონდო: 5757

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

სურვილისამებრ
2N5308_D27Z
ON Semiconductor

2N5308_D27Z

ნაწილი საფონდო: 5795

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5772_D26Z
ON Semiconductor

2N5772_D26Z

ნაწილი საფონდო: 6637

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

სურვილისამებრ
2N4410_D75Z
ON Semiconductor

2N4410_D75Z

ნაწილი საფონდო: 5836

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N5172_D75Z
ON Semiconductor

2N5172_D75Z

ნაწილი საფონდო: 5805

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N4410_D74Z
ON Semiconductor

2N4410_D74Z

ნაწილი საფონდო: 5805

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4410_D27Z
ON Semiconductor

2N4410_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6668

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4402_J14Z
ON Semiconductor

2N4402_J14Z

ნაწილი საფონდო: 6610

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

სურვილისამებრ
2N4402_S00Z
ON Semiconductor

2N4402_S00Z

ნაწილი საფონდო: 5789

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

სურვილისამებრ
2N4402_D81Z
ON Semiconductor

2N4402_D81Z

ნაწილი საფონდო: 5772

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

სურვილისამებრ
2N3703
ON Semiconductor

2N3703

ნაწილი საფონდო: 5781

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N3702_D27Z
ON Semiconductor

2N3702_D27Z

ნაწილი საფონდო: 5841

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N3415_D75Z
ON Semiconductor

2N3415_D75Z

ნაწილი საფონდო: 5760

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

სურვილისამებრ