ტრანზისტორები - IGBT - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 65

APTGF165SK60D1G

ნაწილი საფონდო: 463

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 230A, სიმძლავრე - მაქს: 730W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

ნაწილი საფონდო: 496

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 220A, სიმძლავრე - მაქს: 833W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

ნაწილი საფონდო: 456

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 230A, სიმძლავრე - მაქს: 781W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

ნაწილი საფონდო: 448

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 230A, სიმძლავრე - მაქს: 730W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

ნაწილი საფონდო: 440

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 140W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

ნაწილი საფონდო: 442

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 140W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

ნაწილი საფონდო: 487

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Full Bridge Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, სიმძლავრე - მაქს: 140W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

ნაწილი საფონდო: 414

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

ნაწილი საფონდო: 410

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Asymmetrical Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

ნაწილი საფონდო: 435

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

ნაწილი საფონდო: 453

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

ნაწილი საფონდო: 3069

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200A, სიმძლავრე - მაქს: 961W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

ნაწილი საფონდო: 453

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Dual, Common Source, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

ნაწილი საფონდო: 411

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 130A, სიმძლავრე - მაქს: 735W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

ნაწილი საფონდო: 435

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Half Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 135A, სიმძლავრე - მაქს: 568W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 455

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, სიმძლავრე - მაქს: 378W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

ნაწილი საფონდო: 418

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, სიმძლავრე - მაქს: 378W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

ნაწილი საფონდო: 3465

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 347W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

ნაწილი საფონდო: 3433

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 347W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 448

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 277W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 465

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 58A, სიმძლავრე - მაქს: 192W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

ნაწილი საფონდო: 416

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 58A, სიმძლავრე - მაქს: 192W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

ნაწილი საფონდო: 481

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 120A, სიმძლავრე - მაქს: 416W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT75GN120J

ნაწილი საფონდო: 420

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 124A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

ნაწილი საფონდო: 401

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 124A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

ნაწილი საფონდო: 445

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 93A, სიმძლავრე - მაქს: 378W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT50GP60J

ნაწილი საფონდო: 2419

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100A, სიმძლავრე - მაქს: 329W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

ნაწილი საფონდო: 393

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 72A, სიმძლავრე - მაქს: 379W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

ნაწილი საფონდო: 2536

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 86A, სიმძლავრე - მაქს: 284W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

ნაწილი საფონდო: 469

IGBT ტიპი: NPT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 77A, სიმძლავრე - მაქს: 347W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

ნაწილი საფონდო: 406

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 283A, სიმძლავრე - მაქს: 682W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

ნაწილი საფონდო: 1653

IGBT ტიპი: PT, კონფიგურაცია: Single, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 128A, სიმძლავრე - მაქს: 543W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

ნაწილი საფონდო: 1360

IGBT ტიპი: NPT, Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Boost Chopper, Full Bridge, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 65A, სიმძლავრე - მაქს: 250W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

ნაწილი საფონდო: 373

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 454.5W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2P75S12M3

ნაწილი საფონდო: 372

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 1200V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 75A, სიმძლავრე - მაქს: 454.5W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

A2C50S65M2

ნაწილი საფონდო: 320

IGBT ტიპი: Trench Field Stop, კონფიგურაცია: Three Phase Inverter with Brake, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 650V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, სიმძლავრე - მაქს: 208W, Vce (ჩართვა) (მაქს) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

სურვილისამებრ