ოპტიკური სენსორები - ფოტოინტერუტერები - სლოტის ტიპ

OPB880P55Z

ნაწილი საფონდო: 20356

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB800L51

ნაწილი საფონდო: 32075

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB876T55

ნაწილი საფონდო: 34276

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB842W51Z

ნაწილი საფონდო: 19424

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB365P55

ნაწილი საფონდო: 29903

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPS691

ნაწილი საფონდო: 85168

ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB891T51Z

ნაწილი საფონდო: 20370

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB812W55Z

ნაწილი საფონდო: 19286

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB825B

ნაწილი საფონდო: 47883

ზონდირების მანძილი: 0.160" (4.06mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB855

ნაწილი საფონდო: 40968

ზონდირების მანძილი: 0.205" (5.21mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB828C

ნაწილი საფონდო: 42099

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB890L11Z

ნაწილი საფონდო: 17397

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB880T51Z

ნაწილი საფონდო: 19265

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB390T51Z

ნაწილი საფონდო: 17988

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB370N11

ნაწილი საფონდო: 33627

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB420BZ

ნაწილი საფონდო: 16131

ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

სურვილისამებრ

OPB885Z

ნაწილი საფონდო: 10869

ზონდირების მანძილი: 0.374" (9.5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB821S3Z

ნაწილი საფონდო: 16968

ზონდირების მანძილი: 0.080" (2.03mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

OPB360N51

ნაწილი საფონდო: 36872

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

EE-SH3-B

ნაწილი საფონდო: 15230

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

EE-SX1340

ნაწილი საფონდო: 64711

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V,

სურვილისამებრ

EE-SH3-C

ნაწილი საფონდო: 10574

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

EE-SX1320

ნაწილი საფონდო: 126846

ზონდირების მანძილი: 0.079" (2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 5mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA,

სურვილისამებრ

EE-SX1035

ნაწილი საფონდო: 18256

ზონდირების მანძილი: 0.205" (5.2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

EE-SX1321

ნაწილი საფონდო: 82172

ზონდირების მანძილი: 0.079" (2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA,

სურვილისამებრ

EE-SX972-C1

ნაწილი საფონდო: 2399

ზონდირების მანძილი: 0.020" (0.5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ

EE-SX771R 5M

ნაწილი საფონდო: 975

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Open Collector/Dark-ON,

სურვილისამებრ

EE-SX974P-C1

ნაწილი საფონდო: 2321

ზონდირების მანძილი: 0.020" (0.5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ