ოპტიკური სენსორები - ფოტოინტერუტერები - სლოტის ტიპ

RPI-125

RPI-125

ნაწილი საფონდო: 161723

ზონდირების მანძილი: 0.047" (1.2mm), გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

RPI-221

RPI-221

ნაწილი საფონდო: 66659

ზონდირების მანძილი: 0.091" (2.3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB825A

OPB825A

ნაწილი საფონდო: 44730

ზონდირების მანძილი: 0.160" (4.06mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB841W51Z

OPB841W51Z

ნაწილი საფონდო: 16119

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB380P55Z

OPB380P55Z

ნაწილი საფონდო: 17965

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB891T55Z

OPB891T55Z

ნაწილი საფონდო: 20138

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB831W55Z

OPB831W55Z

ნაწილი საფონდო: 18888

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB870N11

OPB870N11

ნაწილი საფონდო: 30559

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB390L51Z

OPB390L51Z

ნაწილი საფონდო: 17983

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB828A

OPB828A

ნაწილი საფონდო: 42120

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB812L55

OPB812L55

ნაწილი საფონდო: 36294

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB370T11

OPB370T11

ნაწილი საფონდო: 32668

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB370N55

OPB370N55

ნაწილი საფონდო: 32266

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB360P11

OPB360P11

ნაწილი საფონდო: 30133

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB390P55Z

OPB390P55Z

ნაწილი საფონდო: 18658

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB365N51

OPB365N51

ნაწილი საფონდო: 28645

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB365N55

OPB365N55

ნაწილი საფონდო: 28746

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB875N51

OPB875N51

ნაწილი საფონდო: 38656

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPS692

OPS692

ნაწილი საფონდო: 55522

ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB830L11

OPB830L11

ნაწილი საფონდო: 25461

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB810L55

OPB810L55

ნაწილი საფონდო: 33924

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB420AZ

OPB420AZ

ნაწილი საფონდო: 16085

ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB375T11

OPB375T11

ნაწილი საფონდო: 32901

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB871N55

OPB871N55

ნაწილი საფონდო: 35434

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX1137

EE-SX1137

ნაწილი საფონდო: 26619

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SA103

EE-SA103

ნაწილი საფონდო: 46470

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SV3-DS

EE-SV3-DS

ნაწილი საფონდო: 9640

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

TCPT1600X01

TCPT1600X01

ნაწილი საფონდო: 91321

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V,

TCST2202

TCST2202

ნაწილი საფონდო: 39429

ზონდირების მანძილი: 0.122" (3.1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V,

HOA1881-012

HOA1881-012

ნაწილი საფონდო: 8389

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA0881-T55

HOA0881-T55

ნაწილი საფონდო: 7384

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA0865-T55

HOA0865-T55

ნაწილი საფონდო: 10211

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA1879-012

HOA1879-012

ნაწილი საფონდო: 9273

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA1877-001

HOA1877-001

ნაწილი საფონდო: 6531

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.52mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

E4TT-MM4A-CS3M020

E4TT-MM4A-CS3M020

ნაწილი საფონდო: 613

EE-SX977P-C1

EE-SX977P-C1

ნაწილი საფონდო: 1858

ზონდირების მანძილი: 0.020" (0.5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,