ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ

2349

2349

ნაწილი საფონდო: 37638

ზონდირების მეთოდი: Reflective, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

APDS-9102-L22

APDS-9102-L22

ნაწილი საფონდო: 2779

ზონდირების მანძილი: 0.315" (8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

APDS-9101-L21

APDS-9101-L21

ნაწილი საფონდო: 2767

ზონდირების მანძილი: 0.472" (12mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

APDS-9103-L22

APDS-9103-L22

ნაწილი საფონდო: 2716

ზონდირების მანძილი: 0.394" (10mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

APDS-9104-L22

APDS-9104-L22

ნაწილი საფონდო: 4280

ზონდირების მანძილი: 0.472" (12mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB609RA

OPB609RA

ნაწილი საფონდო: 2752

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB745

OPB745

ნაწილი საფონდო: 27707

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB700TX

OPB700TX

ნაწილი საფონდო: 320

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB711

OPB711

ნაწილი საფონდო: 30414

ზონდირების მანძილი: 0.080" (2.03mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB609AX

OPB609AX

ნაწილი საფონდო: 2695

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB70FWZ

OPB70FWZ

ნაწილი საფონდო: 16880

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Transistor,

OPB701

OPB701

ნაწილი საფონდო: 2775

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB700TXV

OPB700TXV

ნაწილი საფონდო: 288

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB730

OPB730

ნაწილი საფონდო: 10232

ზონდირების მანძილი: 0.250" (6.35mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB707C

OPB707C

ნაწილი საფონდო: 31623

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 125mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB704GWZ

OPB704GWZ

ნაწილი საფონდო: 21055

ზონდირების მანძილი: 0.149" (3.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB745W

OPB745W

ნაწილი საფონდო: 2799

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

MTRS5250D

MTRS5250D

ნაწილი საფონდო: 13013

ზონდირების მანძილი: 1.5mm, ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, გამოყვანის ტიპი: Photodiode,

GP2S40JJ000F

GP2S40JJ000F

ნაწილი საფონდო: 4316

ზონდირების მანძილი: 0.138" (3.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S27T

GP2S27T

ნაწილი საფონდო: 2691

ზონდირების მანძილი: 0.031" (0.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2L20R

GP2L20R

ნაწილი საფონდო: 2748

ზონდირების მანძილი: 0.512" (13mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

SFH 9202-5/6-Z

SFH 9202-5/6-Z

ნაწილი საფონდო: 2689

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

SFH 9206-5/6

SFH 9206-5/6

ნაწილი საფონდო: 158565

ზონდირების მანძილი: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EAITRDA6

EAITRDA6

ნაწილი საფონდო: 154360

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR9907

ITR9907

ნაწილი საფონდო: 126354

ზონდირების მანძილი: 0.063" (1.6mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EAITRDA8

EAITRDA8

ნაწილი საფონდო: 178661

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR20002-A

ITR20002-A

ნაწილი საფონდო: 152221

ზონდირების მანძილი: 0.236" (6mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S60B

GP2S60B

ნაწილი საფონდო: 112842

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNB10010RL

CNB10010RL

ნაწილი საფონდო: 2775

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNB13020R0LF

CNB13020R0LF

ნაწილი საფონდო: 2765

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNB23010R

CNB23010R

ნაწილი საფონდო: 2755

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

EE-SY169A-D

EE-SY169A-D

ნაწილი საფონდო: 3844

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SY193

EE-SY193

ნაწილი საფონდო: 93365

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 18V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA0149-501

HOA0149-501

ნაწილი საფონდო: 18766

ზონდირების მანძილი: 0.15" (3.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA1406-003

HOA1406-003

ნაწილი საფონდო: 2610

ზონდირების მანძილი: 0.120" (3.05mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

QRE00034

QRE00034

ნაწილი საფონდო: 2759

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,