ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ

MTRS5900D

ნაწილი საფონდო: 12999

ზონდირების მანძილი: 1.5mm, ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, გამოყვანის ტიპი: Photodiode,

MTRS6140D

ნაწილი საფონდო: 15518

ზონდირების მანძილი: 1.5mm, ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, გამოყვანის ტიპი: Photodiode,

PC50CNP06RP

ნაწილი საფონდო: 147

ზონდირების მანძილი: 236.2" (6m), ზონდირების მეთოდი: Reflective,

PC50CNR10RP

ნაწილი საფონდო: 122

ზონდირების მანძილი: 393.701" (10m), ზონდირების მეთოდი: Reflective,

OPB70HWZ

ნაწილი საფონდო: 21699

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Transistor,

OPB70AWZ

ნაწილი საფონდო: 18874

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Darlington,

OPB747WZ

ნაწილი საფონდო: 2766

ზონდირების მანძილი: 0.300" (7.62mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB732WZ

ნაწილი საფონდო: 15744

ზონდირების მანძილი: 3" (76.2mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB608C

ნაწილი საფონდო: 51641

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB741W

ნაწილი საფონდო: 2720

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB70EWZ

ნაწილი საფონდო: 18687

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Transistor,

OPB742

ნაწილი საფონდო: 33637

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB743WZ

ნაწილი საფონდო: 20862

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB755NZ

ნაწილი საფონდო: 2712

ზონდირების მანძილი: 0.220" (5.59mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB701Z

ნაწილი საფონდო: 7740

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPR5005

ნაწილი საფონდო: 21984

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB744WZ

ნაწილი საფონდო: 18838

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB608R

ნაწილი საფონდო: 47308

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

Z4D-A01

ნაწილი საფონდო: 4329

ზონდირების მანძილი: 0.256" (6.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective,

EE-SB5-B

ნაწილი საფონდო: 10268

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR9909

ნაწილი საფონდო: 149323

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR8307/L24/F43

ნაწილი საფონდო: 163178

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA0708-107

ნაწილი საფონდო: 15421

ზონდირების მანძილი: 0.15" (3.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA0149-500

ნაწილი საფონდო: 2735

ზონდირების მანძილი: 0.15" (3.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA0149-001

ნაწილი საფონდო: 13019

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNB10010SL

ნაწილი საფონდო: 2753

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNB2301

ნაწილი საფონდო: 2755

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

CNB10010LL

ნაწილი საფონდო: 2692

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNY70

ნაწილი საფონდო: 52694

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

QRD1114

ნაწილი საფონდო: 39835

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

QRD1313

ნაწილი საფონდო: 2740

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

HEDS-1500

ნაწილი საფონდო: 2754

ზონდირების მანძილი: 0.168" (4.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodiode,

LTH-1550-01

ნაწილი საფონდო: 183477

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S24BJ000F

ნაწილი საფონდო: 2701

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S40

ნაწილი საფონდო: 2756

ზონდირების მანძილი: 0.256" (6.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

E2RA-RN11 2M

ნაწილი საფონდო: 2681