ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ

CNB13020S

CNB13020S

ნაწილი საფონდო: 2734

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S60A

GP2S60A

ნაწილი საფონდო: 2778

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

ნაწილი საფონდო: 2727

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S24

GP2S24

ნაწილი საფონდო: 4283

ზონდირების მანძილი: 0.031" (0.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2L24BCJ00F

GP2L24BCJ00F

ნაწილი საფონდო: 2763

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

ნაწილი საფონდო: 2769

ზონდირების მანძილი: 0.028" (0.7mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

GP2S28

GP2S28

ნაწილი საფონდო: 2729

ზონდირების მანძილი: 0.551" (14mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB755TZ

OPB755TZ

ნაწილი საფონდო: 12878

ზონდირების მანძილი: 0.220" (5.59mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB744W

OPB744W

ნაწილი საფონდო: 2774

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB706A

OPB706A

ნაწილი საფონდო: 39866

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB743W

OPB743W

ნაწილი საფონდო: 4313

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB739RWZ

OPB739RWZ

ნაწილი საფონდო: 5303

ზონდირების მანძილი: 0.015" ~ 0.045" (0.38mm ~ 1.14mm) ADJ, ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB740W

OPB740W

ნაწილი საფონდო: 4359

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB712

OPB712

ნაწილი საფონდო: 27713

ზონდირების მანძილი: 0.080" (2.03mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 125mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB703WZ

OPB703WZ

ნაწილი საფონდო: 21166

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPR5005TR

OPR5005TR

ნაწილი საფონდო: 23833

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB732

OPB732

ნაწილი საფონდო: 20066

ზონდირების მანძილი: 3" (76.2mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

SFH 7070

SFH 7070

ნაწილი საფონდო: 61573

ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, გამოყვანის ტიპი: Photodiode,

RPR-220UC30N

RPR-220UC30N

ნაწილი საფონდო: 27157

ზონდირების მანძილი: 0.236" (6mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SY113

EE-SY113

ნაწილი საფონდო: 12359

ზონდირების მანძილი: 0.173" (4.4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SY125

EE-SY125

ნაწილი საფონდო: 2778

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SY171

EE-SY171

ნაწილი საფონდო: 18679

ზონდირების მანძილი: 0.138" (3.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SY169

EE-SY169

ნაწილი საფონდო: 3710

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

MTRS1070

MTRS1070

ნაწილი საფონდო: 15471

ზონდირების მანძილი: 1.5mm, ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

MTRS4720D

MTRS4720D

ნაწილი საფონდო: 13002

ზონდირების მანძილი: 1.5mm, ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, გამოყვანის ტიპი: Photodiode,

EAITRCA6

EAITRCA6

ნაწილი საფონდო: 10294

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR8307/L24

ITR8307/L24

ნაწილი საფონდო: 194894

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

GP2S700HCP

GP2S700HCP

ნაწილი საფონდო: 51616

ზონდირების მანძილი: 0.217" (5.5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA1397-001

HOA1397-001

ნაწილი საფონდო: 11854

ზონდირების მანძილი: 0.05" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA0708-011

HOA0708-011

ნაწილი საფონდო: 10491

ზონდირების მანძილი: 0.15" (3.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 40mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HOA1180-001

HOA1180-001

ნაწილი საფონდო: 3479

ზონდირების მანძილი: 0.250" (6.35mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

QRE1113

QRE1113

ნაწილი საფონდო: 57727

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

TALP3001

TALP3001

ნაწილი საფონდო: 2764

LTH-209-01

LTH-209-01

ნაწილი საფონდო: 106253

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

KU163C-TR

KU163C-TR

ნაწილი საფონდო: 2739

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

TCRT5000

TCRT5000

ნაწილი საფონდო: 58184

ზონდირების მანძილი: 0.591" (15mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,