ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ

TCRT1000

TCRT1000

ნაწილი საფონდო: 58154

ზონდირების მანძილი: 0.157" (4mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

TCRT5000L

TCRT5000L

ნაწილი საფონდო: 58186

ზონდირების მანძილი: 0.591" (15mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB746WZ

OPB746WZ

ნაწილი საფონდო: 4366

ზონდირების მანძილი: 0.300" (7.62mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB704

OPB704

ნაწილი საფონდო: 30593

ზონდირების მანძილი: 0.149" (3.8mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB70DWZ

OPB70DWZ

ნაწილი საფონდო: 16552

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Transistor,

OPB607C

OPB607C

ნაწილი საფონდო: 65767

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 125mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB730F

OPB730F

ნაწილი საფონდო: 9297

ზონდირების მანძილი: 0.250" (6.35mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Photodarlington,

OPB705WZ

OPB705WZ

ნაწილი საფონდო: 21773

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB732W

OPB732W

ნაწილი საფონდო: 2761

ზონდირების მანძილი: 3" (76.2mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB606B

OPB606B

ნაწილი საფონდო: 71504

ზონდირების მანძილი: 0.050" (1.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB609GU

OPB609GU

ნაწილი საფონდო: 2766

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB742WZ

OPB742WZ

ნაწილი საფონდო: 21355

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB741

OPB741

ნაწილი საფონდო: 31506

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB744

OPB744

ნაწილი საფონდო: 27479

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB700ALZ

OPB700ALZ

ნაწილი საფონდო: 8398

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB755T

OPB755T

ნაწილი საფონდო: 2758

ზონდირების მანძილი: 0.220" (5.59mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

OPB710

OPB710

ნაწილი საფონდო: 9045

ზონდირების მანძილი: 0.250" (6.35mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

QRB1113

QRB1113

ნაწილი საფონდო: 2703

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

QRB1114

QRB1114

ნაწილი საფონდო: 2747

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

QRC1133

QRC1133

ნაწილი საფონდო: 2700

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR20001/T

ITR20001/T

ნაწილი საფონდო: 146389

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR8307/L24/TR8

ITR8307/L24/TR8

ნაწილი საფონდო: 160874

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EAITRCA8

EAITRCA8

ნაწილი საფონდო: 140638

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

ITR8307/F43

ITR8307/F43

ნაწილი საფონდო: 144812

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

SFH 9202-2/3-Z

SFH 9202-2/3-Z

ნაწილი საფონდო: 2766

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

SFH 9201-Z

SFH 9201-Z

ნაწილი საფონდო: 2734

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

CNB10112

CNB10112

ნაწილი საფონდო: 2697

ზონდირების მანძილი: 0.039" (1mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

HBCS-1100

HBCS-1100

ნაწილი საფონდო: 2727

ზონდირების მანძილი: 0.168" (4.27mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

LTH-1550-06

LTH-1550-06

ნაწილი საფონდო: 2713

ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SY110

EE-SY110

ნაწილი საფონდო: 15782

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

EE-SF5

EE-SF5

ნაწილი საფონდო: 2766

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

Z4D-A03

Z4D-A03

ნაწილი საფონდო: 2778

HOA1406-001

HOA1406-001

ნაწილი საფონდო: 2499

ზონდირების მანძილი: 0.120" (3.05mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,

RPR-220

RPR-220

ნაწილი საფონდო: 39202

ზონდირების მანძილი: 0.236" (6mm), ზონდირების მეთოდი: Reflective, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, გამოყვანის ტიპი: Phototransistor,