ოპტიკური სენსორები - ფოტოინტერუტერები - სლოტის ტიპ

OPB800W51Z

OPB800W51Z

ნაწილი საფონდო: 18957

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB821S10Z

OPB821S10Z

ნაწილი საფონდო: 16874

ზონდირების მანძილი: 0.080" (2.03mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB380T51Z

OPB380T51Z

ნაწილი საფონდო: 17979

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB830W11Z

OPB830W11Z

ნაწილი საფონდო: 15160

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB365T11

OPB365T11

ნაწილი საფონდო: 29928

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPS665

OPS665

ნაწილი საფონდო: 62065

ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB852A2

OPB852A2

ნაწილი საფონდო: 35046

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 40mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB811W55Z

OPB811W55Z

ნაწილი საფონდო: 20389

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB815WZ

OPB815WZ

ნაწილი საფონდო: 17279

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB370N51

OPB370N51

ნაწილი საფონდო: 32289

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB817Z

OPB817Z

ნაწილი საფონდო: 19833

ზონდირების მანძილი: 0.200" (5.08mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB810W55Z

OPB810W55Z

ნაწილი საფონდო: 20137

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB870T51TX

OPB870T51TX

ნაწილი საფონდო: 348

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB829DZ

OPB829DZ

ნაწილი საფონდო: 22483

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB890P51Z

OPB890P51Z

ნაწილი საფონდო: 20424

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB350W125Z

OPB350W125Z

ნაწილი საფონდო: 11417

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Liquid, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB830W55Z

OPB830W55Z

ნაწილი საფონდო: 18829

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB891P55Z

OPB891P55Z

ნაწილი საფონდო: 22058

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB360T51

OPB360T51

ნაწილი საფონდო: 36508

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB825

OPB825

ნაწილი საფონდო: 45244

ზონდირების მანძილი: 0.160" (4.06mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

LTH-301-32

LTH-301-32

ნაწილი საფონდო: 66059

ზონდირების მანძილი: 0.591" (15mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

PM-T64P

PM-T64P

ნაწილი საფონდო: 3692

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

PM-F64P

PM-F64P

ნაწილი საფონდო: 3634

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

TCST1202

TCST1202

ნაწილი საფონდო: 45781

ზონდირების მანძილი: 0.122" (3.1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V,

EE-SX1055

EE-SX1055

ნაწილი საფონდო: 23952

ზონდირების მანძილი: 0.110" (2.8mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SH3-GS

EE-SH3-GS

ნაწილი საფონდო: 15860

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SV3-B

EE-SV3-B

ნაწილი საფონდო: 11328

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX153

EE-SX153

ნაწილი საფონდო: 14873

ზონდირების მანძილი: 0.134" (3.4mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

SFH 9540

SFH 9540

ნაწილი საფონდო: 135295

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V,

EE-SX951P-R 1M

EE-SX951P-R 1M

ნაწილი საფონდო: 2501

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

EE-SX951P-W 1M

EE-SX951P-W 1M

ნაწილი საფონდო: 2930

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

EE-SX971P-C1

EE-SX971P-C1

ნაწილი საფონდო: 2380

ზონდირების მანძილი: 0.020" (0.5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX976-C1

EE-SX976-C1

ნაწილი საფონდო: 2332

ზონდირების მანძილი: 0.020" (0.5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

H21A2

H21A2

ნაწილი საფონდო: 37423

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Open Collector/Light-ON, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 3mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

RPI-2501

RPI-2501

ნაწილი საფონდო: 50505

ზონდირების მანძილი: 1.6mm, ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 35mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EAITRDA2

EAITRDA2

ნაწილი საფონდო: 160063