ოპტიკური სენსორები - ფოტოინტერუტერები - სლოტის ტიპ

OPB840W55Z

ნაწილი საფონდო: 18528

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB870T55

ნაწილი საფონდო: 35986

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB880N55Z

ნაწილი საფონდო: 20344

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB841W55Z

ნაწილი საფონდო: 18199

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB830L55

ნაწილი საფონდო: 34614

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB857Z

ნაწილი საფონდო: 14573

ზონდირების მანძილი: 0.150" (3.81mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB100-SZ

ნაწილი საფონდო: 24326

ზონდირების მანძილი: 12" (304.8mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB800L55

ნაწილი საფონდო: 32638

ზონდირების მანძილი: 0.375" (9.53mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB620

ნაწილი საფონდო: 51586

ზონდირების მანძილი: 0.190" (4.83mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, Base-Emitter Resistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

OPB880T11Z

ნაწილი საფონდო: 17711

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB829CZ

ნაწილი საფონდო: 22282

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB920AZ

ნაწილი საფონდო: 14181

გამოყვანის კონფიგურაცია: Totem Pole, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 20mA,

OPB350L062

ნაწილი საფონდო: 15297

ზონდირების მანძილი: 0.063" (1.6mm), ზონდირების მეთოდი: Liquid, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB850A

ნაწილი საფონდო: 29119

ზონდირების მეთოდი: Optical Flag, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

OPB375T55

ნაწილი საფონდო: 39878

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB840L51

ნაწილი საფონდო: 30611

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB880N11Z

ნაწილი საფონდო: 17081

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

OPB870T11

ნაწილი საფონდო: 31800

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX1106

ნაწილი საფონდო: 36662

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX1161-W11

ნაწილი საფონდო: 5717

ზონდირების მანძილი: 0.126" (3.2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

EE-SX954P-W 1M

ნაწილი საფონდო: 2945

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

EESX951R 1M

ნაწილი საფონდო: 2754

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

E4TT-MM4A-CS3M010

ნაწილი საფონდო: 601

E4T0-MSE-FA

ნაწილი საფონდო: 712

EE-SX952-W 3M

ნაწილი საფონდო: 2589

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

EE-SX951-R 1M

ნაწილი საფონდო: 2792

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

EE-SX954-W 1M

ნაწილი საფონდო: 2944

ზონდირების მანძილი: 0.197" (5mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 24V,

GP1S092HCPIF

ნაწილი საფონდო: 177339

ზონდირების მანძილი: 0.079" (2mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

GP1S196HCPSF

ნაწილი საფონდო: 161

ზონდირების მანძილი: 0.043" (1.1mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V,

TCUT1350X01

ნაწილი საფონდო: 99652

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V,

TCUT1630X01

ნაწილი საფონდო: 4829

ზონდირების მანძილი: 0.118" (3mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 25mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V,

TCST2103

ნაწილი საფონდო: 39418

ზონდირების მანძილი: 3.1mm, ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V,

RPI-128

ნაწილი საფონდო: 85181

ზონდირების მანძილი: 0.047" (1.2mm), გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

RPI-130

ნაწილი საფონდო: 83255

ზონდირების მანძილი: 0.047" (1.2mm), გამოყვანის კონფიგურაცია: Transistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA1888-011

ნაწილი საფონდო: 9689

ზონდირების მანძილი: 0.472" (12mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

HOA1887-012

ნაწილი საფონდო: 6627

ზონდირების მანძილი: 0.125" (3.18mm), ზონდირების მეთოდი: Transmissive, გამოყვანის კონფიგურაცია: Phototransistor, მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 50mA, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,