ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

NVMFD5873NLT1G

ნაწილი საფონდო: 73807

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDS9958-F085

ნაწილი საფონდო: 26954

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDS8858CZ

ნაწილი საფონდო: 153147

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.6A, 7.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

ECH8660-TL-H

ნაწილი საფონდო: 177854

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

სურვილისამებრ

IRF7905TRPBF

ნაწილი საფონდო: 187870

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.25V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IPG20N06S2L50AATMA1

ნაწილი საფონდო: 140292

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 19µA,

სურვილისამებრ

IRF9358TRPBF

ნაწილი საფონდო: 160762

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IPG16N10S461ATMA1

ნაწილი საფონდო: 100256

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 9µA,

სურვილისამებრ

IRFHM8363TRPBF

ნაწილი საფონდო: 191314

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სურვილისამებრ

IPG20N04S4L11AATMA1

ნაწილი საფონდო: 165940

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 15µA,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STS1DNC45

ნაწილი საფონდო: 85375

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 450V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 400mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.7V @ 250µA,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

ნაწილი საფონდო: 136676

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SIA922EDJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 104410

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI9926CDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 125202

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SQJ974EP-T1_GE3

ნაწილი საფონდო: 141603

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5504BDC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 163985

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7288DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 108168

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7900AEDN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 97121

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4214DDY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 102448

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5935CDC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 154777

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5936DU-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 193614

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI1025X-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 121434

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 190mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

ნაწილი საფონდო: 169010

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 950mV @ 250µA,

სურვილისამებრ

SH8M24TB1

ნაწილი საფონდო: 112720

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 45V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

UM6J1NTN

ნაწილი საფონდო: 145064

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

QS8J13TR

ნაწილი საფონდო: 157844

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სურვილისამებრ

SH8M11TB1

ნაწილი საფონდო: 138257

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

EM6K34T2CR

ნაწილი საფონდო: 122186

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 0.9V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 800mV @ 1mA,

სურვილისამებრ

ZDM4306NTA

ნაწილი საფონდო: 2658

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 1mA,

სურვილისამებრ

DMC1018UPD-13

ნაწილი საფონდო: 180420

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.5A, 6.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

ZXMD63P02XTA

ნაწილი საფონდო: 110973

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

სურვილისამებრ