| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N and P-Channel Complementary |
| FET ფუნქცია | Standard |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 590mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 950mV @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V |
| სიმძლავრე - მაქს | 285mW (Ta) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 6-XFDFN Exposed Pad |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DFN1010B-6 |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
