ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

APTML202UM18R010T3AG

ნაწილი საფონდო: 2939

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 109A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

ნაწილი საფონდო: 3301

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1000V (1kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

ნაწილი საფონდო: 3350

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

ნაწილი საფონდო: 2866

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

ნაწილი საფონდო: 2896

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

ნაწილი საფონდო: 293

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1000V (1kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

ნაწილი საფონდო: 1142

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

ნაწილი საფონდო: 2917

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

ნაწილი საფონდო: 2886

FET ტიპი: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

ნაწილი საფონდო: 2885

FET ტიპი: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

ნაწილი საფონდო: 2935

FET ტიპი: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

ნაწილი საფონდო: 2862

FET ტიპი: 2 N Channel (Phase Leg), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 66A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

ნაწილი საფონდო: 2932

FET ტიპი: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

ნაწილი საფონდო: 1136

FET ტიპი: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

ნაწილი საფონდო: 424

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

ნაწილი საფონდო: 666

FET ტიპი: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

ნაწილი საფონდო: 2898

FET ტიპი: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

ნაწილი საფონდო: 5403

FET ტიპი: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

ნაწილი საფონდო: 2849

FET ტიპი: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET ფუნქცია: Super Junction, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 3mA,

ALD111910SAL

ნაწილი საფონდო: 38839

ALD111910PAL

ნაწილი საფონდო: 38839

AOC2800

ნაწილი საფონდო: 2871

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate,

AON6974A

ნაწილი საფონდო: 2934

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

ნაწილი საფონდო: 2849

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 24A, 42A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

ნაწილი საფონდო: 2893

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

ნაწილი საფონდო: 2941

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

ნაწილი საფონდო: 2858

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

ნაწილი საფონდო: 2861

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

ნაწილი საფონდო: 2874

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

ნაწილი საფონდო: 2920

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

ნაწილი საფონდო: 2939

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 600mA, 500mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

ნაწილი საფონდო: 192153

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

ნაწილი საფონდო: 2877

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

ნაწილი საფონდო: 2917

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A, 40A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

ნაწილი საფონდო: 2882

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A, 33A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

ნაწილი საფონდო: 2875

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,