ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET ფუნქცია | Super Junction |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 900V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 30A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 3.5V @ 3mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 270nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 6800pF @ 100V |
სიმძლავრე - მაქს | 250W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Chassis Mount |
პაკეტი / კორპუსი | SP2 |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | SP2 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |