თირისტორები - SCRs - მოდულები

F18107SDK1200

F18107SDK1200

ნაწილი საფონდო: 624

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

F1857SDK400

F1857SDK400

ნაწილი საფონდო: 1041

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

M252542

M252542

ნაწილი საფონდო: 2011

სტრუქტურა: 1-Phase Controller - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

F1827DH1400

F1827DH1400

ნაწილი საფონდო: 1031

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

F1827SDK1200

F1827SDK1200

ნაწილი საფონდო: 645

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

F1857SDK600

F1857SDK600

ნაწილი საფონდო: 761

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

F1857SD1400

F1857SD1400

ნაწილი საფონდო: 585

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

MCK700-18IO1W

MCK700-18IO1W

ნაწილი საფონდო: 156

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1331A,

MDC700-12IO1W

MDC700-12IO1W

ნაწილი საფონდო: 162

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1331A,

MCO25-12IO1

MCO25-12IO1

ნაწილი საფონდო: 4993

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 31A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 49A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VWO50-08IO7

VWO50-08IO7

ნაწილი საფონდო: 1071

სტრუქტურა: 3-Phase Controller - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 6 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 23A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 36A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V,

VVZ70-16IO7

VVZ70-16IO7

ნაწილი საფონდო: 1419

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VCO180-16IO7

VCO180-16IO7

ნაწილი საფონდო: 2169

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 280A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VTOF70-16IO7

VTOF70-16IO7

ნაწილი საფონდო: 1341

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 6 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

MCD72-12IO8B

MCD72-12IO8B

ნაწილი საფონდო: 2575

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 115A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MDC500-14IO1

MDC500-14IO1

ნაწილი საფონდო: 9874

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 545A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1294A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VVZ110-14IO7

VVZ110-14IO7

ნაწილი საფონდო: 748

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 58A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

MCC72-08IO1B

MCC72-08IO1B

ნაწილი საფონდო: 2471

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 115A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MCD56-16IO8B

MCD56-16IO8B

ნაწილი საფონდო: 2970

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 64A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

T9S0082803DH

T9S0082803DH

ნაწილი საფონდო: 9858

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 3300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 5184A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T7H8065504DN

T7H8065504DN

ნაწილი საფონდო: 1003

C784DC

C784DC

ნაწილი საფონდო: 193

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 4.3kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

VS-VSKV56/10

VS-VSKV56/10

ნაწილი საფონდო: 1971

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 95A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKL41/16

VS-VSKL41/16

ნაწილი საფონდო: 1619

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKV91/10

VS-VSKV91/10

ნაწილი საფონდო: 1721

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKU91/16

VS-VSKU91/16

ნაწილი საფონდო: 1700

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKN26/12

VS-VSKN26/12

ნაწილი საფონდო: 2147

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKU71/08

VS-VSKU71/08

ნაწილი საფონდო: 1823

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 115A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

TZ530N32KOFHPSA1

TZ530N32KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9998

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 955A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TZ600N14KOFHPSA1

TZ600N14KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9916

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 669A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1050A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TT162N08KOFHPSA1

TT162N08KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9925

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 162A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T580N02TOFXPSA1

T580N02TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 9854

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 568A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

T2161N52TOHXPSA1

T2161N52TOHXPSA1

ნაწილი საფონდო: 9821

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 5.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2860A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

T1800N42TOFPRXPSA1

T1800N42TOFPRXPSA1

ნაწილი საფონდო: 331

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 4.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2490A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2820A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

TDB6HK180N16RRPB11BPSA1

TDB6HK180N16RRPB11BPSA1

ნაწილი საფონდო: 343

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

MT110CB16T1-BP

MT110CB16T1-BP

ნაწილი საფონდო: 2017

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 110A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,