თირისტორები - SCRs - მოდულები

MCO600-20IO1

MCO600-20IO1

ნაწილი საფონდო: 357

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 600A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 928A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

VHO55-16IO7

VHO55-16IO7

ნაწილი საფონდო: 1637

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 53A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

MCD700-16IO1W

MCD700-16IO1W

ნაწილი საფონდო: 135

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1331A,

MCD132-12IO1

MCD132-12IO1

ნაწილი საფონდო: 1377

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 130A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MCD95-14IO8B

MCD95-14IO8B

ნაწილი საფონდო: 2344

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 116A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MCO75-16IO1

MCO75-16IO1

ნაწილი საფონდო: 3690

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 77A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 121A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

MCD72-18IO8B

MCD72-18IO8B

ნაწილი საფონდო: 2291

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 115A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MDC700-14IO1W

MDC700-14IO1W

ნაწილი საფონდო: 208

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1331A,

MCD95-18IO1B

MCD95-18IO1B

ნაწილი საფონდო: 2189

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 116A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MCK500-22IO1

MCK500-22IO1

ნაწილი საფონდო: 9834

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 545A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1294A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

MCC225-12IO1

MCC225-12IO1

ნაწილი საფონდო: 664

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 221A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 400A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

MCC26-08IO1B

MCC26-08IO1B

ნაწილი საფონდო: 3551

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 32A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 50A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

MCC500-20IO1

MCC500-20IO1

ნაწილი საფონდო: 9831

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 545A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1294A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VWO85-08IO1

VWO85-08IO1

ნაწილი საფონდო: 1174

სტრუქტურა: 3-Phase Controller - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 6 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 59A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VHF85-14IO7

VHF85-14IO7

ნაწილი საფონდო: 867

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 58A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VVZ40-16IO1

VVZ40-16IO1

ნაწილი საფონდო: 1860

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 34A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V,

F1857SDK1400

F1857SDK1400

ნაწილი საფონდო: 609

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

F1857DH1600

F1857DH1600

ნაწილი საფონდო: 963

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T552

T552

ნაწილი საფონდო: 1655

M254012F

M254012F

ნაწილი საფონდო: 1333

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

F1857SD600

F1857SD600

ნაწილი საფონდო: 738

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

F1892HD600

F1892HD600

ნაწილი საფონდო: 775

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T511FS

T511FS

ნაწილი საფონდო: 3021

TDB6HK124N16RRBOSA1

TDB6HK124N16RRBOSA1

ნაწილი საფონდო: 351

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 125A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

T2251N70TOHXPSA1

T2251N70TOHXPSA1

ნაწილი საფონდო: 316

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 3140A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3550A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

T731N44TOHXPSA1

T731N44TOHXPSA1

ნაწილი საფონდო: 330

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 4.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1280A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2010A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

DT250N2518KOFHPSA1

DT250N2518KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 3067

T300N18TOFXPSA1

T300N18TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 9897

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 303A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 400A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T1500N12TOFVTXPSA1

T1500N12TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 2985

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TT61N16KOFKHPSA1

TT61N16KOFKHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9926

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 76A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

T600N95TOFXPSA1

T600N95TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 9885

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 9.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 830A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 930A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

DT92N12KOFHPSA1

DT92N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9951

T7H8045504DN

T7H8045504DN

ნაწილი საფონდო: 1056

C784DB

C784DB

ნაწილი საფონდო: 192

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 4.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

VS-VSKN105/14

VS-VSKN105/14

ნაწილი საფონდო: 1915

სტრუქტურა: Common Anode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

MSFC90-12

MSFC90-12

ნაწილი საფონდო: 9810

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,