თირისტორები - SCRs - მოდულები

TD215N22KOFHPSA1

TD215N22KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 146

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 215A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T470N16TOFXPSA1

T470N16TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 121

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 470A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TT500N16KOFHPSA2

TT500N16KOFHPSA2

ნაწილი საფონდო: 135

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 900A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TD330N16KOFTIMHPSA1

TD330N16KOFTIMHPSA1

ნაწილი საფონდო: 68

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TT61N16KOFHPSA1

TT61N16KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 81

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 76A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

T1040N22TOFVTXPSA1

T1040N22TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 138

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1040A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2200A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TD400N26KOFHPSA1

TD400N26KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 63

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

T2180N16TOFVTXPSA1

T2180N16TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 100

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4460A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T640N16TOFXPSA1

T640N16TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 110

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 644A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TZ800N16KOFHPSA3

TZ800N16KOFHPSA3

ნაწილი საფონდო: 121

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 819A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1500A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TD210N12KOFHPSA1

TD210N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 117

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 261A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TZ600N12KOFHPSA1

TZ600N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 139

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 669A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1050A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TD190N18SOFHPSA1

TD190N18SOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 158

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 190A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 275A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

TT170N14KOFHPSA1

TT170N14KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 67

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 223A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T3710N06TOFVTXPSA1

T3710N06TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 122

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 3710A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 7000A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VCO180-14IO7

VCO180-14IO7

ნაწილი საფონდო: 2236

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 280A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VCC105-08IO7

VCC105-08IO7

ნაწილი საფონდო: 2732

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

VS-P104W

VS-P104W

ნაწილი საფონდო: 2109

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

VS-VSKH105/06

VS-VSKH105/06

ნაწილი საფონდო: 1917

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKL71/10

VS-VSKL71/10

ნაწილი საფონდო: 1875

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKN41/12

VS-VSKN41/12

ნაწილი საფონდო: 2056

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKS500/08PBF

VS-VSKS500/08PBF

ნაწილი საფონდო: 260

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-T90RIA100

VS-T90RIA100

ნაწილი საფონდო: 2031

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 90A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 141A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKL250-14PBF

VS-VSKL250-14PBF

ნაწილი საფონდო: 495

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-P402W

VS-P402W

ნაწილი საფონდო: 1813

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

ND471225

ND471225

ნაწილი საფონდო: 565

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

PA430607

PA430607

ნაწილი საფონდო: 205

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1550A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

LD421050

LD421050

ნაწილი საფონდო: 412

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T7H8105504DN

T7H8105504DN

ნაწილი საფონდო: 916

CD420890B

CD420890B

ნაწილი საფონდო: 1557

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T720063504DN

T720063504DN

ნაწილი საფონდო: 971

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

CD431490B

CD431490B

ნაწილი საფონდო: 1938

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T720184504DN

T720184504DN

ნაწილი საფონდო: 695

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 450A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 700A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

C783CD

C783CD

ნაწილი საფონდო: 137

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1800A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2826A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

T7H8147504DN

T7H8147504DN

ნაწილი საფონდო: 814

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 750A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

GA080TH65

GA080TH65

ნაწილი საფონდო: 91

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 6.5kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 139A,