თირისტორები - SCRs - მოდულები

SHRDIN7985M6X15HPSA1

SHRDIN7985M6X15HPSA1

ნაწილი საფონდო: 121

T420N14TOFXPSA1

T420N14TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 60

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 424A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 750A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T880N14TOFXPSA1

T880N14TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 112

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 880A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1.75A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TD175N16SOFHPSA1

TD175N16SOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 134

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 175A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 275A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

DT61N16KOFHPSA1

DT61N16KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 61

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 76A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

T1930N32TOFVTXPSA1

T1930N32TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 83

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2180A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4200A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

TD250N12KOFHPSA1

TD250N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 86

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TD250N16KOFTIMHPSA1

TD250N16KOFTIMHPSA1

ნაწილი საფონდო: 108

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 410A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TT330N16KOFTIMHPSA1

TT330N16KOFTIMHPSA1

ნაწილი საფონდო: 76

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

TT61N12KOFB2

TT61N12KOFB2

ნაწილი საფონდო: 220

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 76A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

TD570N16KOFHPSA2

TD570N16KOFHPSA2

ნაწილი საფონდო: 59

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 600A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 900A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

TT215N20KOFHPSA1

TT215N20KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 114

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 215A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

T2160N22TOFVTXPSA1

T2160N22TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 83

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2400A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4600A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-P133

VS-P133

ნაწილი საფონდო: 2167

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 4 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

VS-VSKT91/10

VS-VSKT91/10

ნაწილი საფონდო: 1785

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKT500-14PBF

VS-VSKT500-14PBF

ნაწილი საფონდო: 220

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-VSKL105/10

VS-VSKL105/10

ნაწილი საფონდო: 1868

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKH41/10

VS-VSKH41/10

ნაწილი საფონდო: 2001

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKN105/10

VS-VSKN105/10

ნაწილი საფონდო: 1891

სტრუქტურა: Common Anode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 235A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-P401W

VS-P401W

ნაწილი საფონდო: 1982

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

VS-VSKH250-08PBF

VS-VSKH250-08PBF

ნაწილი საფონდო: 463

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-VSKN91/04

VS-VSKN91/04

ნაწილი საფონდო: 1902

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 210A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

VS-VSKT250-20PBF

VS-VSKT250-20PBF

ნაწილი საფონდო: 220

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-VSKV250-08PBF

VS-VSKV250-08PBF

ნაწილი საფონდო: 550

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-VSKL250-08PBF

VS-VSKL250-08PBF

ნაწილი საფონდო: 403

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 555A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VS-VSKT500-08PBF

VS-VSKT500-08PBF

ნაწილი საფონდო: 216

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 785A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

L512F

L512F

ნაწილი საფონდო: 1293

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

PD471207

PD471207

ნაწილი საფონდო: 205

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

C781PM

C781PM

ნაწილი საფონდო: 208

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3925A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.2V,

ND430825

ND430825

ნაწილი საფონდო: 610

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

PS432415

PS432415

ნაწილი საფონდო: 126

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

PD470607

PD470607

ნაწილი საფონდო: 171

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 700A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1100A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

LD431650

LD431650

ნაწილი საფონდო: 347

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 900A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

T720104504DN

T720104504DN

ნაწილი საფონდო: 843

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 450A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 700A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

ND431225

ND431225

ნაწილი საფონდო: 541

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 393A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

VVZB120-16IO2

VVZB120-16IO2

ნაწილი საფონდო: 804

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 120A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,