Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

RB088NS150FHTL
Rohm Semiconductor

RB088NS150FHTL

ნაწილი საფონდო: 107

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
DAP222MFHT2L
Rohm Semiconductor

DAP222MFHT2L

ნაწილი საფონდო: 142

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
DB3J406N0L
Panasonic Electronic Components

DB3J406N0L

ნაწილი საფონდო: 168202

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 75mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
ND412426
Powerex Inc.

ND412426

ნაწილი საფონდო: 171

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 2400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 260A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 1500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
ND410635
Powerex Inc.

ND410635

ნაწილი საფონდო: 119

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 350A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1000A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF1550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 138

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
UGF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005GHC0G

ნაწილი საფონდო: 132

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRS2090 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090 MNG

ნაწილი საფონდო: 169

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
GP1603 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603 C0G

ნაწილი საფონდო: 74

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
UGF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004G C0G

ნაწილი საფონდო: 113

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 132

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR10100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 141

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606 C0G

ნაწილი საფონდო: 79

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15150CT C0G

ნაწილი საფონდო: 107

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS20100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT-Y MNG

ნაწილი საფონდო: 113

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF1050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 98

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CT C0G

ნაწილი საფონდო: 82

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CT C0G

ნაწილი საფონდო: 68

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRF16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100HC0G

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS1550CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CTHMNG

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS4060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CT MNG

ნაწილი საფონდო: 120

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
UGF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006GHC0G

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001HC0G

ნაწილი საფონდო: 92

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CT C0G

ნაწილი საფონდო: 111

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRS1090HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090HMNG

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS25150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CT MNG

ნაწილი საფონდო: 144

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.02V @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-20CTQ150STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRRHM3

ნაწილი საფონდო: 52621

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-15CTQ040-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ040-1-M3

ნაწილი საფონდო: 115878

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-43CTQ100STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100STRLHM3

ნაწილი საფონდო: 41679

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4C-M3/87A

ნაწილი საფონდო: 176480

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-MBRB20100CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTR-M3

ნაწილი საფონდო: 76898

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-16CTQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100S-M3

ნაწილი საფონდო: 87159

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

ნაწილი საფონდო: 1344

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

ნაწილი საფონდო: 1195

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
TBAV70,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

ნაწილი საფონდო: 171499

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF20200CT-JT
Diodes Incorporated

MBRF20200CT-JT

ნაწილი საფონდო: 102317

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ