Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

RB731XNTR
Rohm Semiconductor

RB731XNTR

ნაწილი საფონდო: 184649

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
RBQ30NS65AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ30NS65AFHTL

ნაწილი საფონდო: 114

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 65V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-20CTQ150STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRLHM3

ნაწილი საფონდო: 54892

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-6CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01-M3/86A

ნაწილი საფონდო: 137911

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-52CPQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-52CPQ030-N3

ნაწილი საფონდო: 11824

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
VS-12CWQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRLHM3

ნაწილი საფონდო: 65197

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SS10P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4CHM3_A/H

ნაწილი საფონდო: 176200

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
CDSV6-4148-G
Comchip Technology

CDSV6-4148-G

ნაწილი საფონდო: 151253

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
CDSV6-4448SD-G
Comchip Technology

CDSV6-4448SD-G

ნაწილი საფონდო: 112323

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
CDBD1060-G
Comchip Technology

CDBD1060-G

ნაწილი საფონდო: 138989

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
CDBV3-54C-G
Comchip Technology

CDBV3-54C-G

ნაწილი საფონდო: 191496

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
CDSV3-99-G
Comchip Technology

CDSV3-99-G

ნაწილი საფონდო: 146387

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
CDBV3-40A-G
Comchip Technology

CDBV3-40A-G

ნაწილი საფონდო: 154237

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CT C0G

ნაწილი საფონდო: 80

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.02V @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRF1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1650 C0G

ნაწილი საფონდო: 170

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRS2050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2050 MNG

ნაწილი საფონდო: 91

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR3035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3035PT C0G

ნაწილი საფონდო: 111

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS1050CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CT MNG

ნაწილი საფონდო: 158

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS2045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CT MNG

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 149

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRF1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1630HC0G

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1607G C0G

ნაწილი საფონდო: 150

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
SRS1690 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1690 MNG

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS15100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT-Y MNG

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF3090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3090CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 156

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2060CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 112

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR30L45CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L45CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
HER1603PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603PT C0G

ნაწილი საფონდო: 79

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRF2560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 12.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
UGF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1606G C0G

ნაწილი საფონდო: 150

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBRS2590CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2590CTHMNG

ნაწილი საფონდო: 102

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CT C0G

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
TRS16N65D,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

ნაწილი საფონდო: 10959

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

ნაწილი საფონდო: 83401

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
STTH10LCD06CT
STMicroelectronics

STTH10LCD06CT

ნაწილი საფონდო: 64477

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

ნაწილი საფონდო: 1478

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ