დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

SBR20150CT

ნაწილი საფონდო: 101440

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

SDUR1620CT

ნაწილი საფონდო: 135444

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Rohm Semiconductor

UMN20NFHTR

ნაწილი საფონდო: 103

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20M120C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 106664

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 910mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10170C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 88004

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.03V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 153775

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40100C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 64806

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM150CHM3/I

ნაწილი საფონდო: 95

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40D120CHM3/I

ნაწილი საფონდო: 72205

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30M120C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 106695

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT30L60C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 87772

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2045C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 100703

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 112838

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSHD320CW40

ნაწილი საფონდო: 1764

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 360A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045CBP-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 129918

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 116241

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15W60C-M3/I

ნაწილი საფონდო: 140876

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20200C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 86172

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

ნაწილი საფონდო: 1259

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

ნაწილი საფონდო: 792

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

FST10035

ნაწილი საფონდო: 1520

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

ნაწილი საფონდო: 942

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

ნაწილი საფონდო: 1023

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

ნაწილი საფონდო: 1147

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

ნაწილი საფონდო: 1663

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

ნაწილი საფონდო: 1097

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

ნაწილი საფონდო: 1313

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

ნაწილი საფონდო: 1006

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

ნაწილი საფონდო: 1494

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608G C0G

ნაწილი საფონდო: 121

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

DD285N02KHPSA1

ნაწილი საფონდო: 58

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 285A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 800A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Cree/Wolfspeed

C2D10120D

ნაწილი საფონდო: 4546

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

MD200A16D2-BP

ნაწილი საფონდო: 1461

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

MF200K06F3-BP

ნაწილი საფონდო: 2343

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

SBRV660VCTT4G

ნაწილი საფონდო: 146140

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

SBRB1545CTG

ნაწილი საფონდო: 79461

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ