დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

MBRT200150

ნაწილი საფონდო: 1643

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTR

ნაწილი საფონდო: 971

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

ნაწილი საფონდო: 1363

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

ნაწილი საფონდო: 1118

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

ნაწილი საფონდო: 990

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

ნაწილი საფონდო: 1247

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 125A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

ნაწილი საფონდო: 1311

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

ნაწილი საფონდო: 1516

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

ნაწილი საფონდო: 3862

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

ნაწილი საფონდო: 997

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

ნაწილი საფონდო: 1601

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

ნაწილი საფონდო: 1342

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

ნაწილი საფონდო: 1538

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

ნაწილი საფონდო: 1162

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

ნაწილი საფონდო: 1081

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

ნაწილი საფონდო: 1224

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

ნაწილი საფონდო: 1843

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

ნაწილი საფონდო: 1126

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

ნაწილი საფონდო: 2471

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.35V @ 120A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

ნაწილი საფონდო: 1571

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

ნაწილი საფონდო: 949

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 600A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

ნაწილი საფონდო: 1000

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

ნაწილი საფონდო: 892

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

FST16030

ნაწილი საფონდო: 1497

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

ნაწილი საფონდო: 1326

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

ნაწილი საფონდო: 1388

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

ნაწილი საფონდო: 1362

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Powerex Inc.

LDR11666

ნაწილი საფონდო: 41

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 660A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1978A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 44467

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150PBF

ნაწილი საფონდო: 13698

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30200C-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 26870

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

NRVBD640CTG-VF01

ნაწილი საფონდო: 107735

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

F1892CCD400

ნაწილი საფონდო: 927

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 90A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 270A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

MD240C16D2-BP

ნაწილი საფონდო: 1195

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STPS10170CT

ნაწილი საფონდო: 67201

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 170V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

IXYS

DSS2X101-02A

ნაწილი საფონდო: 2894

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ