დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

APT2X101S20J

ნაწილი საფონდო: 2725

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

ნაწილი საფონდო: 20940

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

ნაწილი საფონდო: 1426

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

ნაწილი საფონდო: 11515

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

ნაწილი საფონდო: 1510

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

ნაწილი საფონდო: 4471

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

ნაწილი საფონდო: 4419

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

ნაწილი საფონდო: 7652

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 17A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

ნაწილი საფონდო: 647

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 60A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

ნაწილი საფონდო: 910

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 40A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

ნაწილი საფონდო: 4083

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 40A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

ნაწილი საფონდო: 4104

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

ნაწილი საფონდო: 4162

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

ნაწილი საფონდო: 1523

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

ნაწილი საფონდო: 4122

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 90A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 90A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

ნაწილი საფონდო: 3952

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 36A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

ნაწილი საფონდო: 2369

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

ნაწილი საფონდო: 952

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 40A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

ნაწილი საფონდო: 777

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 50A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

ნაწილი საფონდო: 3868

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

ნაწილი საფონდო: 3871

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

ნაწილი საფონდო: 3895

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

ნაწილი საფონდო: 3885

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

ნაწილი საფონდო: 4438

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

ნაწილი საფონდო: 3858

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

ნაწილი საფონდო: 6132

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 4V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

ნაწილი საფონდო: 3860

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

ნაწილი საფონდო: 4074

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

ნაწილი საფონდო: 3544

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

ნაწილი საფონდო: 3886

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

ნაწილი საფონდო: 4128

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

ნაწილი საფონდო: 4064

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

ნაწილი საფონდო: 3857

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

ნაწილი საფონდო: 2926

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

ნაწილი საფონდო: 143494

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

ნაწილი საფონდო: 4514

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ