Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

81CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASM

ნაწილი საფონდო: 4436

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
81CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASL

ნაწილი საფონდო: 4407

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ135APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135APBF

ნაწილი საფონდო: 3731

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ150APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150APBF

ნაწილი საფონდო: 3774

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ135ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASL

ნაწილი საფონდო: 4425

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ135A
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135A

ნაწილი საფონდო: 3677

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
80CNQ040A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040A

ნაწილი საფონდო: 3658

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
81CNQ040A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040A

ნაწილი საფონდო: 3692

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ135ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASM

ნაწილი საფონდო: 3651

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
81CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045A

ნაწილი საფონდო: 3682

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
80CNQ035A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035A

ნაწილი საფონდო: 3643

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
83CNQ080A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080A

ნაწილი საფონდო: 3661

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
81CNQ035A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035A

ნაწილი საფონდო: 3661

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ150ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASL

ნაწილი საფონდო: 3663

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ150ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASM

ნაწილი საფონდო: 3639

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
82CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASM

ნაწილი საფონდო: 3642

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
83CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASM

ნაწილი საფონდო: 3697

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
83CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASL

ნაწილი საფონდო: 3631

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
87CNQ020A
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020A

ნაწილი საფონდო: 3675

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
85CNQ015ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASL

ნაწილი საფონდო: 3717

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
85CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASM

ნაწილი საფონდო: 4452

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
87CNQ020ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASL

ნაწილი საფონდო: 3635

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
87CNQ020ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASM

ნაწილი საფონდო: 3654

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
83CNQ080ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASM

ნაწილი საფონდო: 3712

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
83CNQ080ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASL

ნაწილი საფონდო: 4456

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
89CNQ150A
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150A

ნაწილი საფონდო: 3724

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
88CNQ060A
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060A

ნაწილი საფონდო: 3697

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
88CNQ060ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASL

ნაწილი საფონდო: 3691

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
80CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASL

ნაწილი საფონდო: 3697

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
80CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASM

ნაწილი საფონდო: 3690

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
81CNQ040ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASL

ნაწილი საფონდო: 3643

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
88CNQ060ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASM

ნაწილი საფონდო: 3635

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
81CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASM

ნაწილი საფონდო: 3681

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
80CNQ040ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASL

ნაწილი საფონდო: 3672

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
80CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASM

ნაწილი საფონდო: 3652

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
8768650000
Weidmüller

8768650000

ნაწილი საფონდო: 389

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A,

სურვილისამებრ