ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

CGH55015F1

CGH55015F1

ნაწილი საფონდო: 1109

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 5.5GHz ~ 5.8GHz, მოგება: 11dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
CGH60008D-GP4

CGH60008D-GP4

ნაწილი საფონდო: 3142

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 6GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB201402FC-V1-R250

PTFB201402FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 82

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.02GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB210801FA-V1-R0

PTFB210801FA-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 84

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PXAC260602FC-V1-R250

PXAC260602FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 6410

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTVA120251EA-V2-R250

PTVA120251EA-V2-R250

ნაწილი საფონდო: 121

სასურველი
PTVA104501EH-V1-R0

PTVA104501EH-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 343

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz ~ 1.215GHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
PTFB091802FC-V1-R0

PTFB091802FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 85

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTVA120252MT-V1-R1K

PTVA120252MT-V1-R1K

ნაწილი საფონდო: 157

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 500MHz ~ 1.4GHz, მოგება: 20.2dB, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTRA094252FC-V1-R0

PTRA094252FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 125

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 746MHz ~ 960MHz, მოგება: 23dB, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PXAC260602FC-V1-R0

PXAC260602FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 6428

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGH27015F

CGH27015F

ნაწილი საფონდო: 1124

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 3GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGH60120D-GP4

CGH60120D-GP4

ნაწილი საფონდო: 271

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 6GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGH60060D-GP4

CGH60060D-GP4

ნაწილი საფონდო: 2664

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 6GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFA041501F-V4-R250

PTFA041501F-V4-R250

ნაწილი საფონდო: 6462

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 470MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTVA042502FC-V1-R0

PTVA042502FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 90

სასურველი
CGHV1F025S

CGHV1F025S

ნაწილი საფონდო: 873

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 6GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 40V, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,

სასურველი
PTRA087008NB-V1-R5

PTRA087008NB-V1-R5

ნაწილი საფონდო: 114

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 755MHz ~ 805MHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFA092201E-V4-R250

PTFA092201E-V4-R250

ნაწილი საფონდო: 6436

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFC270101M-V1-R1K

PTFC270101M-V1-R1K

ნაწილი საფონდო: 91

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 20.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGH40035F

CGH40035F

ნაწილი საფონდო: 472

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0Hz ~ 4GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10.5A,

სასურველი
PTFA180701E-V4-R0

PTFA180701E-V4-R0

ნაწილი საფონდო: 6419

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFC262157FH-V1-R250

PTFC262157FH-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 85

სასურველი
PTAC260302FC-V1-R0

PTAC260302FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 152

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
CGHV27030S

CGHV27030S

ნაწილი საფონდო: 1492

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 6GHz, მოგება: 20.4dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
CGHV96050F2

CGHV96050F2

ნაწილი საფონდო: 169

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 7.9GHz ~ 9.6GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 40V, მიმდინარე რეიტინგი: 6A,

სასურველი
PTFC262157FH-V1-R0

PTFC262157FH-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 119

სასურველი
CGH40025F

CGH40025F

ნაწილი საფონდო: 699

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0Hz ~ 6GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 7A,

სასურველი
PTRA093818NF-V1-R5

PTRA093818NF-V1-R5

ნაწილი საფონდო: 128

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 925MHz ~ 960MHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PXAC182908FV-V1-R0

PXAC182908FV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 172

სასურველი
CGHV60170D-GP4

CGHV60170D-GP4

ნაწილი საფონდო: 68

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 6GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
PTFA041501F-V4-R0

PTFA041501F-V4-R0

ნაწილი საფონდო: 6439

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 420MHz ~ 500MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 1µA,

სასურველი
PTVA047002EV-V1-R0

PTVA047002EV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 141

სასურველი
PXAC192908FV-V1-R250

PXAC192908FV-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 111

სასურველი
GTVA261701FA-V1-R0

GTVA261701FA-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 175

სასურველი
GTVA220701FA-V1-R2

GTVA220701FA-V1-R2

ნაწილი საფონდო: 108

სასურველი