ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 1

CAS300M17BM2

ნაწილი საფონდო: 115

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1700V (1.7kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 325A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

სასურველი

Cree/Wolfspeed

CAS300M12BM2

ნაწილი საფონდო: 138

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 423A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 300A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

სასურველი

Cree/Wolfspeed

CCS050M12CM2

ნაწილი საფონდო: 184

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.3V @ 2.5mA,

სასურველი

Cree/Wolfspeed

CCS020M12CM2

ნაწილი საფონდო: 413

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 29.5A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ),

სასურველი

Cree/Wolfspeed

CAS120M12BM2

ნაწილი საფონდო: 257

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 193A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ),

სასურველი

Cree/Wolfspeed

CAS325M12HM2

ნაწილი საფონდო: 70

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Silicon Carbide (SiC), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 444A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 105mA,

სასურველი

Cree/Wolfspeed

CAS100H12AM1

ნაწილი საფონდო: 3335

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 168A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.1V @ 50mA,

სასურველი