ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

PTRA083818NF-V1-R5

PTRA083818NF-V1-R5

ნაწილი საფონდო: 82

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 733MHz ~ 805MHz, მოგება: 18.6dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
CGH40180PP

CGH40180PP

ნაწილი საფონდო: 176

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0Hz ~ 2.5GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 56A,

სასურველი
CGHV22200F

CGHV22200F

ნაწილი საფონდო: 377

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 1.8GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 12A,

სასურველი
PTAC240502FC-V1-R250

PTAC240502FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 6429

სასურველი
PTRA093302FC-V1-R0

PTRA093302FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 167

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 768MHz, მოგება: 17.25dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PXAD214218FV-V1-R0

PXAD214218FV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 168

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
CGHV40030F

CGHV40030F

ნაწილი საფონდო: 574

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0Hz ~ 6GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A,

სასურველი
PTVA092407NF-V1-R5

PTVA092407NF-V1-R5

ნაწილი საფონდო: 168

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 869MHz ~ 960MHz, მოგება: 22.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTRA093608PV1-V1-R2

PTRA093608PV1-V1-R2

ნაწილი საფონდო: 78

სასურველი
CGH55015F2

CGH55015F2

ნაწილი საფონდო: 1151

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 5.65GHz, მოგება: 12dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTVA101K02EV-V1-R0

PTVA101K02EV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 375

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz ~ 1.09GHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
PXAC241702FC-V1-R0

PXAC241702FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 128

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB212503FL-V2-R0

PTFB212503FL-V2-R0

ნაწილი საფონდო: 98

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 18.1dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
PTVA123501EC-V2-R250

PTVA123501EC-V2-R250

ნაწილი საფონდო: 108

სასურველი
PXAC201602FC-V1-R250

PXAC201602FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 132

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.02GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PXAC243502FV-V1-R0

PXAC243502FV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 165

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB093608FV-V3-R0

PTFB093608FV-V3-R0

ნაწილი საფონდო: 148

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB182503FL-V2-R250

PTFB182503FL-V2-R250

ნაწილი საფონდო: 134

სასურველი
PTVA120501EA-V1-R0

PTVA120501EA-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 131

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.2GHz ~ 1.4GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
PXAC241002FC-V1-R2

PXAC241002FC-V1-R2

ნაწილი საფონდო: 139

სასურველი
PXAD214218FV-V1-R2

PXAD214218FV-V1-R2

ნაწილი საფონდო: 117

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTVA084007NF-V1-R5

PTVA084007NF-V1-R5

ნაწილი საფონდო: 102

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 755MHz ~ 805MHz, მოგება: 23.6dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
CG2H80015D-GP4

CG2H80015D-GP4

ნაწილი საფონდო: 150

სასურველი
PTFB210801FA-V1-R250

PTFB210801FA-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 154

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGHV1J006D-GP4

CGHV1J006D-GP4

ნაწილი საფონდო: 487

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 18GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 40V,

სასურველი
PTFB192503EL-V1-R0

PTFB192503EL-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 6412

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
PTFA091201E-V4-R0

PTFA091201E-V4-R0

ნაწილი საფონდო: 6411

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz ~ 960MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFB241402F-V1-R250

PTFB241402F-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 6383

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
PTFC261402FC-V1-R250

PTFC261402FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 92

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFA072401FL-V5-R0

PTFA072401FL-V5-R0

ნაწილი საფონდო: 6444

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 725MHz ~ 770MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTAC210802FC-V1-R0

PTAC210802FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 145

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTVA120501EA-V1-R250

PTVA120501EA-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 136

სასურველი
CGHV27200F

CGHV27200F

ნაწილი საფონდო: 354

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 15dB ~ 16dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 12A,

სასურველი
PTFB181702FC-V1-R0

PTFB181702FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 104

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTVA102001EA-V1-R0

PTVA102001EA-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 122

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz ~ 1.6GHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
CGHV1J025D-GP4

CGHV1J025D-GP4

ნაწილი საფონდო: 1499

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 18GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 40V,

სასურველი