ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

PTVA127002EV-V1-R0

PTVA127002EV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 139

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.2GHz ~ 1.4GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PXAD184218FV-V1-R2

PXAD184218FV-V1-R2

ნაწილი საფონდო: 86

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PXAC261212FC-V1-R0

PXAC261212FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 6447

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
GTVA263202FC-V1-R2

GTVA263202FC-V1-R2

ნაწილი საფონდო: 155

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.62GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
CGH55030F2

CGH55030F2

ნაწილი საფონდო: 650

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 4.5GHz ~ 6GHz, მოგება: 11dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB091507FH-V1-R0

PTFB091507FH-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 176

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGHV31500F

CGHV31500F

ნაწილი საფონდო: 152

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.7GHz ~ 3.1GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 24A,

სასურველი
GTVA263202FC-V1-R0

GTVA263202FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 80

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.62GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
PTFB183404F-V2-R250

PTFB183404F-V2-R250

ნაწილი საფონდო: 120

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
CGH09120F

CGH09120F

ნაწილი საფონდო: 428

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 21.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB182503EL-V1-R0

PTFB182503EL-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 4720

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
PXAC260622SC-V1-R250

PXAC260622SC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 6392

სასურველი
PTFB090901FA-V2-R250

PTFB090901FA-V2-R250

ნაწილი საფონდო: 171

სასურველი
PXAC203302FV-V1-R250

PXAC203302FV-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 6420

სასურველი
PXAC182002FC-V2-R2

PXAC182002FC-V2-R2

ნაწილი საფონდო: 110

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 1µA,

სასურველი
PTFB213208FV-V2-R0

PTFB213208FV-V2-R0

ნაწილი საფონდო: 126

სასურველი
PTRA082808NF-V1-R5

PTRA082808NF-V1-R5

ნაწილი საფონდო: 110

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 790MHz ~ 820MHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFB181702FC-V1-R250

PTFB181702FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 85

სასურველი
PTFB213208FV-V2-R2

PTFB213208FV-V2-R2

ნაწილი საფონდო: 98

სასურველი
CGHV40100P

CGHV40100P

ნაწილი საფონდო: 278

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0 ~ 4GHz, მოგება: 11dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 8.7A,

სასურველი
CGHV14800F

CGHV14800F

ნაწილი საფონდო: 139

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 14.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 24A,

სასურველი
PTFA091201E-V4-R250

PTFA091201E-V4-R250

ნაწილი საფონდო: 6446

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFC260202FC-V1-R0

PTFC260202FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 101

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGHV59350F

CGHV59350F

ნაწილი საფონდო: 68

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 5.2GHz ~ 5.9GHz, მოგება: 11.2dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 24A,

სასურველი
PTAC240502FC-V1-R0

PTAC240502FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 6464

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 14.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
CGH55030F1

CGH55030F1

ნაწილი საფონდო: 643

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 5.5GHz ~ 5.8GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,

სასურველი
PTFB072707FH-V1-R250

PTFB072707FH-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 169

სასურველი
PXAC261002FC-V1-R0

PXAC261002FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 124

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.1dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
CGHV59070F

CGHV59070F

ნაწილი საფონდო: 340

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 4.4GHz ~ 5.9GHz, მოგება: 13.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
CGH40090PP

CGH40090PP

ნაწილი საფონდო: 289

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0Hz ~ 4GHz, მოგება: 12.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 28A,

სასურველი
PXAD184218FV-V1-R0

PXAD184218FV-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 97

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
PTFB192503FL-V2-R0

PTFB192503FL-V2-R0

ნაწილი საფონდო: 149

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
PTFC210202FC-V1-R0

PTFC210202FC-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 83

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.2GHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
PTFB091802FC-V1-R250

PTFB091802FC-V1-R250

ნაწილი საფონდო: 6404

სასურველი
PTFB092707FH-V1-R0

PTFB092707FH-V1-R0

ნაწილი საფონდო: 172

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
CGH40120F

CGH40120F

ნაწილი საფონდო: 276

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 0Hz ~ 4GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 28A,

სასურველი